Том 2, № 22 (2014)
- Год: 2014
- Выпуск опубликован: 30.11.2014
- Статей: 10
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/issue/view/19174
Весь выпуск
Обзор устройств для измерения значений параметров и характеристик силовых полупроводниковых приборов в состоянии низкой проводимости
Аннотация
В данной статье рассмотрены существующие устройства для измерения значений параметров и характеристик силовых полупроводниковых приборов (СПП) в состоянии низкой проводимости. Показана актуальность создания современного многофункционального и универсального оборудования для диагностики СПП.










Определение ширины запрещенной зоны в карбиде кремния оптическим методом
Аннотация
В статье проводятся результаты исследования ширины запрещенной зоны карбида кремния оптическим методом. Для его определения использовали спектрофотометр СФ-46. Образцы карбида кремния были разных политипов, имели разный тип проводимости, а также были получены разными методами (Лели и ЛЭТИ).






Моделирование влияния параметров модели тиристора на коммутационные потери в схеме инвертора тока
Аннотация
В программе «Saber» проведено моделирование влияния времени жизни носителей заряда в базовых областях тиристора на мощность коммутационных потерь в тиристорах в схеме инвертора тока при их последовательном соединении. Исследовано влияние разброса зарядов обратного восстановления и времен жизни в последовательном соединении тиристоров при последовательном соединении на коммутационные потери. Рассчитан относительный перегрев тиристоров, возникающий из-за разброса параметров.


Быстродействующие высоковольтные GaAs диоды для силовой электроники
Аннотация
В статье приводятся результаты исследования относительно нового класса полупроводниковых приборов ‒ быстродействующих высоковольтных GaAs p-i-n-диодов для высокоэффективной силовой электроники. Приводятся общие технические требования к быстродействующим высоковольтным GaAs p-i-n-диодам, а также основные электрические параметры и характеристики экспериментальных образцов GaAs p-i-n-диодов.

