Быстродействующие высоковольтные GaAs диоды для силовой электроники
- Авторы: Сурайкин А.И., Федотов Е.Н.
- Выпуск: Том 2, № 22 (2014)
- Раздел: Статьи
- Статья получена: 09.05.2025
- Статья одобрена: 09.05.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/290869
- ID: 290869
Цитировать
Полный текст
Аннотация
В статье приводятся результаты исследования относительно нового класса полупроводниковых приборов ‒ быстродействующих высоковольтных GaAs p-i-n-диодов для высокоэффективной силовой электроники. Приводятся общие технические требования к быстродействующим высоковольтным GaAs p-i-n-диодам, а также основные электрические параметры и характеристики экспериментальных образцов GaAs p-i-n-диодов.
Об авторах
А. И. Сурайкин
Автор, ответственный за переписку.
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
Е. Н. Федотов
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
Список литературы
- Войтович В. Гордеев А., Думаневич А. Чем заменить SiC-диоды Шоттки? // Силовая электроника. ‒ 2009. ‒ № 5. ‒ С. 15‒19.
- Кесаманлы Ф. П., Наследова Д. Н. Арсенид галлия. Получение, свойства, применение. – М.: Наука, 1973. – 471 с.
- Войтович В., Гордеев А., Думаневич А. Новые отечественные высоковольтные p-i-n-GaAs- диоды // Силовая электроника. – 2010. ‒ № 2. ‒ С. 16‒19.
- Герлах В. Тиристоры / пер. с нем. ‒ М.: Энергоатомиздат, 1985. ‒ 328 с.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. – Кн. 1. / пер. с англ. ‒ 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
Дополнительные файлы
