High-speed and high-voltage GaAs diodes for power electronics
- Authors: Suraykin A.I., Fedotov E.N.
- Issue: Vol 2, No 22 (2014)
- Section: Статьи
- Submitted: 09.05.2025
- Accepted: 09.05.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/290869
- ID: 290869
Cite item
Full Text
Abstract
The article presents the research results of relatively new semiconductor devices ‒ high-speed and high-voltage GaAs p-i-n-diodes for high-performance power electronics. The authors consider the general technical requirements for high-speed and high-voltage GaAs p-i-n-diodes as well as the basic electrical characteristics of experimental GaAs p-i-n-diodes.
About the authors
A. I. Suraykin
Author for correspondence.
Email: ogarevonline@yandex.ru
Russian Federation
E. N. Fedotov
Email: ogarevonline@yandex.ru
Russian Federation
References
- Войтович В. Гордеев А., Думаневич А. Чем заменить SiC-диоды Шоттки? // Силовая электроника. ‒ 2009. ‒ № 5. ‒ С. 15‒19.
- Кесаманлы Ф. П., Наследова Д. Н. Арсенид галлия. Получение, свойства, применение. – М.: Наука, 1973. – 471 с.
- Войтович В., Гордеев А., Думаневич А. Новые отечественные высоковольтные p-i-n-GaAs- диоды // Силовая электроника. – 2010. ‒ № 2. ‒ С. 16‒19.
- Герлах В. Тиристоры / пер. с нем. ‒ М.: Энергоатомиздат, 1985. ‒ 328 с.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. – Кн. 1. / пер. с англ. ‒ 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
Supplementary files
