Отправить статью по E-mail Критерий стабильности для полупроводниковой сверхрешетки с омическим контактом
- Авторы: Алексеев К.Н., Прудских Н.С., Шорохов А.В.
- Выпуск: Том 2, № S3 (2014)
- Страницы: 58-63
- Раздел: Статьи
- Статья получена: 02.12.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/355243
- ID: 355243
Цитировать
Полный текст
Аннотация
В работе рассмотрен критерий устойчивости усиления высокочастотного электромагнитного излучения в полупроводниковой сверхрешетке с минизонным транспортным режимом в классической схеме усиления. Показано, что омическое граничное условие дает критерий стабильности, отличный от хорошо известного критерия, связанного с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП), что дает надежду получить стабильное усиление и в некоторой области ОДП при определенных параметрах системы. Ключевые слова: сверхрешетка, импеданс, критерий устойчивости, усиление.
Ключевые слова
Об авторах
Кирилл Николаевич Алексеев
Автор, ответственный за переписку.
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
Наталья Сергеевна Прудских
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
Алексей Владимирович Шорохов
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
Список литературы
- 1. Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors // IBM J. Res. Dev. - 1970. - V.14. - P. 61.
- 2. Ктиторов С. А., Симин Г. С., Синдаловский В. Я. Влияние брэгговских отражений на высокочастотную проводимость плазмы твердого тела // ФТТ. - 1971. - Т. 13. -С. 2230.
- 3. Игнатов А. А., Шашкин В. И. Блоховские осцилляции электронов и неустойчивость волн пространственного заряда в полупроводниковых сверхрешетках // ЖЭТФ. - 1987. - Т. 93. - С. 935.
- 4. McCumber D. E., Ghynoweth A. G. Theory of Negative-Conductance Amplification and Gunn Instabilities in "Two-Valley" Semiconductors // IEEE Transactions of Electron Devices. - V.Ed-13. - No.1. - P. 4.
- 5. Kroemer H. Theory of the Gunn Effect // Proc. IEEE (Correspondence). - 1964. -Vol. 52. - P. 1736.
Дополнительные файлы
