Stability criterion for semiconductor superlattice
- Авторлар: Alekseev K.N., Prudskikh N.S., Shorokhov A.V.
- Шығарылым: Том 2, № S3 (2014)
- Беттер: 58-63
- Бөлім: Articles
- ##submission.dateSubmitted##: 02.12.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/355243
- ID: 355243
Дәйексөз келтіру
Толық мәтін
Аннотация
The paper considers the stability criterion of the gain of high-frequency electromagnetic radiation in semiconductor superlattice with miniband transport mode in the standard gaining scheme. The study shows that the Ohmic boundary condition gives the criterion different from the one connected with the negative different conductivity (NDC). It gives hope to get the stable gain in some region of NDC under certain system parameters.
Негізгі сөздер
Авторлар туралы
Kirill Alekseev
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: ogarevonline@yandex.ru
Ресей
Natalia Prudskikh
Email: ogarevonline@yandex.ru
Ресей
Alexey Shorokhov
Email: ogarevonline@yandex.ru
Ресей
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар