Отправить статью по E-mail Определение ширины запрещенной зоны в карбиде кремния оптическим методом
- Авторы: Евишев А.В., Ивенин С.В.
- Выпуск: Том 2, № 22 (2014)
- Раздел: Статьи
- Статья получена: 09.05.2025
- Статья одобрена: 09.05.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/290864
- ID: 290864
Цитировать
Аннотация
В статье проводятся результаты исследования ширины запрещенной зоны карбида кремния оптическим методом. Для его определения использовали спектрофотометр СФ-46. Образцы карбида кремния были разных политипов, имели разный тип проводимости, а также были получены разными методами (Лели и ЛЭТИ).
Об авторах
А. В. Евишев
Автор, ответственный за переписку.
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
С. В. Ивенин
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
Список литературы
- Павлов Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. – М.: Высш. шк., 1987. – 239 с.
- Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников. – М.: Наука, 1977. – 366 с.
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. – М.: Мир, 1973. – 458 с.
- Добролеж С. А., Зубкова С. М., Кравец В. А. Карбид кремния. – Киев: Гос. изд-во техн. лит. УССР, 1963. – 316 с.
Дополнительные файлы
