Список статей

Выпуск Название Файл
Том 53, № 6 (2019) Composition, Structure, and Semiconductor Properties of Chemically Deposited SnSe Films
Maskaeva L., Fedorova E., Markov V., Kuznetsov M., Lipina O.
Том 50, № 2 (2016) Compositional dependence of the band gap of (CuIn5S8)1–x · (FeIn2S4)x alloys
Bodnar I., Victorov I., Jaafar M., Pauliukavets S.
Том 53, № 9 (2019) Computational and Experimental Simulation of Static Memory Cells of Submicron Microcircuits under the Effect of Neutron Fluxes
Puzanov A., Venediktov M., Obolenskiy S., Kozlov V.
Том 52, № 7 (2018) Concentric Hexagonal GaN Structures for Nanophotonics, Fabricated by Selective Vapor-Phase Epitaxy with Ion-Beam Etching
Mitrofanov M., Levitskii I., Voznyuk G., Tatarinov E., Rodin S., Kaliteevski M., Evtikhiev V.
Том 50, № 9 (2016) Conditions of growth of high-quality relaxed Si1–xGex layers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire
Shengurov V., Chalkov V., Denisov S., Matveev S., Nezhdanov A., Mashin A., Filatov D., Stepikhova M., Krasilnik Z.
Том 50, № 8 (2016) Conduction in titanium dioxide films and metal–TiO2–Si structures
Kalygina V., Egorova I., Prudaev I., Tolbanov O.
Том 52, № 13 (2018) Conduction-Electron Spin Resonance in HgSe Crystals
Veinger A., Kochman I., Okulov V., Andriichuk M., Paranchich L.
Том 52, № 2 (2018) Conductivity of Ga2O3–GaAs Heterojunctions
Kalygina V., Remizova I., Tolbanov O.
Том 51, № 8 (2017) Contact resistance in spark plasma sintered segmented legs
Drabkin I., Osvensky V., Sorokin A., Panchenko V., Narozhnaia O.
Том 53, № 13 (2019) Contacting Cu Electrodes to Mg2Si0.3Sn0.7: Direct vs. Indirect Resistive Heating
Ayachi S., Hernandez G., Müller E., de Boor J.
Том 51, № 11 (2017) Contactless characterization of manganese and carbon delta-layers in gallium arsenide
Komkov O., Kudrin A.
Том 52, № 6 (2018) Contribution of Iron Clusters to the Magnetic Properties of Pb1 – yFeyTe Alloys
Skipetrov E., Solovev A., Slynko V.
Том 52, № 10 (2018) Copper(I) Selenide Thin Films: Composition, Morphology, Structure, and Optical Properties
Maskaeva L., Fedorova E., Markov V., Kuznetsov M., Lipina O., Pozdin A.
Том 52, № 4 (2018) Core-Shell III-Nitride Nanowire Heterostructure: Negative Differential Resistance and Device Application Potential
Mozharov A., Vasiliev A., Bolshakov A., Sapunov G., Fedorov V., Cirlin G., Mukhin I.
Том 53, № 6 (2019) Correction of the Reverse Recovery Characteristics of High-Voltage 4H-SiC Junction Diodes Using Proton Irradiation
Ivanov P., Kudoyarov M., Potapov A., Samsonova T.
Том 53, № 6 (2019) Correlation of the Optical and Magnetic Properties of Bi2Te3–Sb2Te3 Crystals
Stepanov N., Gilfanov A., Trubitsyna E.
Том 53, № 11 (2019) Counteracting the Photovoltaic Effect in the Top Intergenerator Part of GaInP/GaAs/Ge Solar Cells
Mintairov M., Evstropov V., Mintairov S., Shvarts M., Kalyuzhnyy N.
Том 51, № 10 (2017) Criterion for strong localization on a semiconductor surface in the Thomas–Fermi approximation
Bondarenko V., Filimonov A.
Том 52, № 16 (2018) Critical Radius of Full Depletion in Semiconductor Nanowires Caused by Surface Charge Trapping
Petrosyan S., Yesayan A., Nersesyan S., Khachatryan V.
Том 53, № 6 (2019) Cryogenic Thermoelectric Cooler for Operating Temperatures below 90 K
Sidorenko N., Dashevsky Z.
Том 51, № 3 (2017) Crystal defects in solar cells produced by the method of thermomigration
Lozovskii V., Lomov A., Lunin L., Seredin B., Chesnokov Y.
Том 52, № 8 (2018) Crystal Structure and Band Gap of (MnIn2S4)1–x • (AgIn5S8)x Alloys
Bodnar I., Tkhan C.
Том 53, № 3 (2019) Crystallization of Amorphous Germanium Films and Multilayer a-Ge/a-Si Structures upon Exposure to Nanosecond Laser Radiation
Volodin V., Krivyakin G., Ivlev G., Prokopyev S., Gusakova S., Popov A.
Том 53, № 1 (2019) Current Noise and Efficiency Droop of Light-Emitting Diodes in Defect-Assisted Carrier Tunneling from an InGaN/GaN Quantum Well
Bochkareva N., Ivanov A., Klochkov A., Shreter Y.
Том 53, № 12 (2019) Current–Voltage Characteristics of Composite Graphene–Nanotube Films with Irregular Nanotube Arrangement
Glukhova O., Slepchenkov M., Mitrofanov V., Barkov P.
126 - 150 из 1443 результатов << < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».