Список статей

Выпуск Название Файл
Том 50, № 5 (2016) Acanthite–argentite transformation in nanocrystalline silver sulfide and the Ag2S/Ag nanoheterostructure
Gusev A., Sadovnikov S.
Том 51, № 12 (2017) Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential
Bovkun L., Ikonnikov A., Aleshkin V., Krishtopenko S., Antonov A., Spirin K., Mikhailov N., Dvoretsky S., Gavrilenko V.
Том 52, № 5 (2018) Air-Oxidation of Nb Nano-Films
Lubenchenko A., Batrakov A., Ivanov D., Lubenchenko O., Lashkov I., Pavolotsky A., Schleicher B., Albert N., Nielsch K.
Том 51, № 12 (2017) Al-doped and pure ZnO thin films elaborated by sol–gel spin coating process for optoelectronic applications
Maache M., Devers T., Chala A.
Том 52, № 13 (2018) AlGaAs/GaAs Photovoltaic Converters of Tritium Radioluminescent-Lamp Radiation
Khvostikov V., Kalinovskiy V., Sorokina S., Shvarts M., Potapovich N., Khvostikova O., Vlasov A., Andreev V.
Том 52, № 12 (2018) All-Electric Laser Beam Control Based on a Quantum-Confined Heterostructure with an Integrated Distributed Bragg Grating
Shashkin I., Soboleva O., Gavrina P., Zolotarev V., Slipchenko S., Pikhtin N.
Том 51, № 4 (2017) Alloyed Si/Al-based ohmic contacts to AlGaN/GaN nitride heterostructures
Slapovskiy D., Pavlov A., Pavlov V., Klekovkin A.
Том 51, № 3 (2017) AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors
Zhuravlev K., Malin T., Mansurov V., Tereshenko O., Abgaryan K., Reviznikov D., Zemlyakov V., Egorkin V., Parnes Y., Tikhomirov V., Prosvirin I.
Том 52, № 5 (2018) Alternative Technology for Creating Nanostructures Using Dip Pen Nanolithography
Lukyanenko A., Smolyarova T.
Том 51, № 11 (2017) Amplification of terahertz radiation in a plasmon n–i–p–i graphene structure with charge-carrier injection
Polischuk O., Fateev D., Popov V.
Том 53, № 16 (2019) An Estimate for the Nonradiative Linewidths of the Quasibound Electron-Hole Pairs in Narrow Quantum Wells
Belov P.
Том 53, № 13 (2019) Analysis of Al0.15Ga0.85N/GaN/Al0.15Ga0.85N DH-HEMT for RF and Microwave Frequency Applications
Chugh N., Kumar M., Bhattacharya M., Gupta R.
Том 52, № 12 (2018) Analysis of the Behavior of Nonequilibrium Semiconductor Structures and Microwave Transistors During and After Pulsed γ- and γ-Neutron Irradiation
Venediktov M., Dukov D., Krevskiy M., Metelkin I., Chukov G., Elesin V., Obolensky S., Bozhen’kina A., Tarasova E., Fefelov A.
Том 51, № 8 (2017) Analysis of the crystal structure of alloys of the [(Ge, Sn, Pb)(Te, Se)]m[(Bi, Sb)2(Te, Se)3]n (m, n = 0, 1, 2,...) family within the theory of closely packed spheres
Korzhuev M., Mihajlova A., Kretova M., Avilov E.
Том 52, № 10 (2018) Analysis of the Features of Hot-Carrier Degradation in FinFETs
Makarov A., Tyaginov S., Kaczer B., Jech M., Chasin A., Grill A., Hellings G., Vexler M., Linten D., Grasser T.
Том 51, № 11 (2017) Analysis of the GaN-HEMT parameters before and after gamma-neutron irradiation
Tarasova E., Obolensky S., Galkin O., Hananova A., Makarov A.
Том 51, № 2 (2017) Analysis of the impact of non-1D effects on the gate switch-on current in 4H-SiC thyristors
Yurkov S., Mnatsakanov T., Levinshtein M., Tandoev A., Palmour J.
Том 53, № 6 (2019) Analysis of the Optical Properties of Plastically Deformed ZnS(O) Using Band-Anticrossing Theory
Morozova N., Miroshnikova I., Galstyan V.
Том 52, № 7 (2018) Analysis of the Structure and Conductivity of Kinked Carbon Chains Obtained by Pulsed Plasma Deposition on Various Metal Substrates
Ivanenko I., Krasnoshchekov S., Pavlikov A.
Том 52, № 15 (2018) Analysis of the Switching Characteristics of MRAM Cells Based on Materials with Uniaxial Anisotropy
Iusipova I.
Том 53, № 13 (2019) Analytical Modeling of Surface Potential and Drain Current of Hetero-Dielectric DG TFET and Its Analog and Radio-Frequency Performance Evaluation
Patel S., Kumar D., Chaurasiya N., Tripathi S.
Том 50, № 11 (2016) Anharmonic Bloch oscillations of electrons in electrically biased superlattices
Ivanov K., Girshova E., Kaliteevski M., Clark S., Gallant A.
Том 53, № 3 (2019) Anharmonicity of Lattice Vibrations in Bi2Se3 Single Crystals
Badalova Z., Abdullayev N., Azhdarov G., Aliguliyeva K., Gahramanov S., Nemov S., Mamedov N.
Том 51, № 10 (2017) Anisotropic Jahn–Teller acceptors formed in GaAs by first-group elements with a filled d shell
Gutkin A., Averkiev N.
Том 50, № 11 (2016) Anisotropy of the magnetocapacitance of structures based on PbSnTe:In/BaF2 films
Klimov A., Epov V.
26 - 50 из 1443 результатов << < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».