Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 53, № 15 (2019)
Investigation of the Initial Silicon-on-Sapphire Layer Formed by CVD Techniques
Fedotov S., Sokolov E., Statsenko V., Romashkin A., Timoshenkov S.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon
Gusev O., Belolipetskiy A., Yassievich I., Kukin A., Terukova E., Terukov E.
PDF
(Eng)
Том 51, № 13 (2017)
Production of Silicon Nanoparticles for Use in Solar Cells
Gribov B., Zinov’ev K., Kalashnik O., Gerasimenko N., Smirnov D., Sukhanov V., Kononov N., Dorofeev S.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Composition and optical properties of amorphous a-SiOx:H films with silicon nanoclusters
Terekhov V., Terukov E., Undalov Y., Parinova E., Spirin D., Seredin P., Minakov D., Domashevskaya E.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Optical and Structural Properties of Composite Si:Au Layers Formed by Laser Electrodispersion
Ken O., Levitskii V., Yavsin D., Gurevich S., Davydov V., Sreseli O.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2019)
Luminescence Properties of FZ Silicon Irradiated with Swift Heavy Ions
Cherkova S., Skuratov V., Volodin V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Effect of Thermal Annealing on the Photovoltaic Properties of GaP/Si Heterostructures Fabricated by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition
Uvarov A., Zelentsov K., Gudovskikh A.
PDF
(Eng)
Том 52, № 10 (2018)
Effect of the Temporal Characteristics of Modulated DC Plasma with the (SiH4–Ar–O2) Gas Phase on ncl-Si Growth in an a-SiOx:H matrix (\({{C}_{{{{{\text{O}}}_{{\text{2}}}}}}}\) = 15.5 mol %)
Undalov Y., Terukov E., Trapeznikova I.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Epitaxially Grown Monoisotopic Si, Ge, and Si1–xGex Alloy Layers: Production and Some Properties
Detochenko A., Denisov S., Drozdov M., Mashin A., Gavva V., Bulanov A., Nezhdanov A., Ezhevskii A., Stepikhova M., Chalkov V., Trushin V., Shengurov D., Shengurov V., Abrosimov N., Riemann H.
PDF
(Eng)
Том 53, № 15 (2019)
Influence of the Metallization Composition and Annealing Process Parameters on the Resistance of Ohmic Contacts to n-type 6H-SiC
Egorkin V., Zemlyakov V., Nezhentsev A., Gudkov V., Garmash V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2019)
Impact of High-Energy Electron Irradiation on Surge Currents in 4H-SiC JBS Schottky Diodes
Lebedev A., Kozlovski V., Ivanov P., Levinshtein M., Zubov A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Template Synthesis of Monodisperse Submicrometer Spherical Nanoporous Silicon Particles
Kurdyukov D., Feoktistov N., Kirilenko D., Smirnov A., Davydov V., Golubev V.
PDF
(Eng)
Том 52, № 9 (2018)
Transport and Photosensitivity in Structures: A Composite Layer of Silicon and Gold Nanoparticles on p-Si
Teplyakov M., Ken O., Goryachev D., Sreseli O.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Study of the correlation properties of the surface structure of nc-Si/a-Si:H films with different fractions of the crystalline phase
Alpatov A., Vikhrov S., Kazanskii A., Lyaskovskii V., Rybin N., Rybina N., Forsh P.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Electrochemical characteristics of nanostructured silicon anodes for lithium-ion batteries
Astrova E., Li G., Rumyantsev A., Zhdanov V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
Electronic Structure of SiN Layers on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates
Timoshnev S., Mizerov A., Lapushkin M., Kukushkin S., Bouravleuv A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2019)
Impact of the Percolation Effect on the Temperature Dependences of the Capacitance–Voltage Characteristics of Heterostructures Based on Composite Layers of Silicon and Gold Nanoparticles
Sobolev M., Yavsin D., Gurevich S.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Nanostructured ITO/SiO2 Coatings
Markov L., Pavluchenko A., Smirnova I.
PDF
(Eng)
Том 52, № 9 (2018)
Poole–Frenkel Effect and the Opportunity of Its Application for the Prediction of Radiation Charge Accumulation in Thermal Silicon Dioxide
Shiryaev A., Vorotyntsev V., Shobolov E.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Possibility of the use of intermediate carbidsiliconoxide nanolayers on polydiamond substrates for gallium nitride layers epitaxy
Averichkin P., Donskov A., Dukhnovsky M., Knyazev S., Kozlova Y., Yugova T., Belogorokhov I.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Electroluminescence properties of LEDs based on electron-irradiated p-Si
Sobolev N., Shtel’makh K., Kalyadin A., Aruev P., Zabrodskiy V., Shek E., Yang D.
PDF
(Eng)
Том 53, № 12 (2019)
Deposition of Amorphous and Microcrystalline Films of Silicon by the Gas-Jet Plasma-Chemical Method
Shchukin V., Konstantinov V., Sharafutdinov R.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2019)
Comparative Analysis of the Luminescence of Ge:Sb Layers Grown on Ge(001) and Si(001) Substrates
Novikov A., Yurasov D., Baidakova N., Bushuykin P., Andreev B., Yunin P., Drozdov M., Yablonskiy A., Kalinnikov M., Krasilnik Z.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Diffusion and Interaction of In and As Implanted into SiO2 Films
Tyschenko I., Voelskow M., Mikhaylov A., Tetelbaum D.
PDF
(Eng)
Том 51, № 13 (2017)
Study of the Structural Properties of Silicon-on-Sapphire Layers in Hydride-Chloride Vapor-Phase Epitaxy
Sokolov E., Fedotov S., Statsenko V., Timoshenkov S., Emelyanov A.
PDF
(Eng)
1 - 25 из 46 результатов 1 2 > >> 
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».