Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 52, № 15 (2018)
Investigating the RTA Treatment of Ohmic Contacts to n-Layers of Heterobipolar Nanoheterostructures
Egorkin V., Zemlyakov V., Nezhentsev A., Garmash V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 13 (2019)
Influence of Si-Doping on the Performance of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells
Chen X., Zhao B., Li S.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Galvanic and Capacitive Effects in n-SiC Conductivity Compensation by Radiation-Induced Defects
Kozlovski V., Lebedev A., Davydovskaya K., Lyubimova Y.
PDF
(Eng)
Том 53, № 13 (2019)
Analysis of Al0.15Ga0.85N/GaN/Al0.15Ga0.85N DH-HEMT for RF and Microwave Frequency Applications
Chugh N., Kumar M., Bhattacharya M., Gupta R.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Avalanche Breakdown Stability of High Voltage (1430 V) 4H-SiC p+–n0–n+ Diodes
Ivanov P., Samsonova T., Potapov A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 12 (2019)
Edge Doping in Graphene Devices on SiO2 Substrates
Vasilyeva G., Smirnov D., Vasilyev Y., Greshnov A., Haug R.
PDF
(Eng)
Том 50, № 13 (2016)
Surface functionalization of single-layer and multilayer graphene upon ultraviolet irradiation
Levin D., Bobrinetskiy I., Emelianov A., Nevolin V., Romashkin A., Petuhov V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2019)
Comparative Analysis of the Luminescence of Ge:Sb Layers Grown on Ge(001) and Si(001) Substrates
Novikov A., Yurasov D., Baidakova N., Bushuykin P., Andreev B., Yunin P., Drozdov M., Yablonskiy A., Kalinnikov M., Krasilnik Z.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Specific features of doping with antimony during the ion-beam crystallization of silicon
Pashchenko A., Chebotarev S., Lunin L., Irkha V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Enhanced Photoluminescence of Heavily Doped n-Ge/Si(001) Layers
Prokhorov D., Shengurov V., Denisov S., Filatov D., Zdoroveishev A., Chalkov V., Zaitsev A., Ved’ M., Dorokhin M., Baidakova N.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
High-Voltage Silicon-Carbide Thyristor with an n-type Blocking Base
Levinshtein M., Mnatsakanov T., Yurkov S., Tandoev A., Ryu S., Palmour J.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates
Mizerov A., Timoshnev S., Nikitina E., Sobolev M., Shubin K., Berezovskaia T., Mokhov D., Lundin W., Nikolaev A., Bouravleuv A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation
Tarasova E., Khananova A., Obolensky S., Zemlyakov V., Sveshnikov Y., Egorkin V., Ivanov V., Medvedev G., Smotrin D.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
In-situ Doping of Thermoelectric Materials Based on SiGe Solid Solutions during Their Synthesis by the Spark Plasma Sintering Technique
Dorokhin M., Demina P., Erofeeva I., Zdoroveyshchev A., Kuznetsov Y., Boldin M., Popov A., Lantsev E., Boryakov A.
PDF
(Eng)
1 - 14 из 14 результатов
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).