Pesquisa

Edição
Título
Autores
Volume 53, Nº 9 (2019)
In-situ Doping of Thermoelectric Materials Based on SiGe Solid Solutions during Their Synthesis by the Spark Plasma Sintering Technique
Dorokhin M., Demina P., Erofeeva I., Zdoroveyshchev A., Kuznetsov Y., Boldin M., Popov A., Lantsev E., Boryakov A.
PDF
(Eng)
Volume 52, Nº 15 (2018)
Investigating the RTA Treatment of Ohmic Contacts to n-Layers of Heterobipolar Nanoheterostructures
Egorkin V., Zemlyakov V., Nezhentsev A., Garmash V.
PDF
(Eng)
Volume 53, Nº 13 (2019)
Influence of Si-Doping on the Performance of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells
Chen X., Zhao B., Li S.
PDF
(Eng)
Volume 52, Nº 12 (2018)
Galvanic and Capacitive Effects in n-SiC Conductivity Compensation by Radiation-Induced Defects
Kozlovski V., Lebedev A., Davydovskaya K., Lyubimova Y.
PDF
(Eng)
Volume 53, Nº 13 (2019)
Analysis of Al0.15Ga0.85N/GaN/Al0.15Ga0.85N DH-HEMT for RF and Microwave Frequency Applications
Chugh N., Kumar M., Bhattacharya M., Gupta R.
PDF
(Eng)
Volume 52, Nº 12 (2018)
Avalanche Breakdown Stability of High Voltage (1430 V) 4H-SiC p+–n0–n+ Diodes
Ivanov P., Samsonova T., Potapov A.
PDF
(Eng)
Volume 53, Nº 12 (2019)
Edge Doping in Graphene Devices on SiO2 Substrates
Vasilyeva G., Smirnov D., Vasilyev Y., Greshnov A., Haug R.
PDF
(Eng)
Volume 50, Nº 13 (2016)
Surface functionalization of single-layer and multilayer graphene upon ultraviolet irradiation
Levin D., Bobrinetskiy I., Emelianov A., Nevolin V., Romashkin A., Petuhov V.
PDF
(Eng)
Volume 53, Nº 10 (2019)
Comparative Analysis of the Luminescence of Ge:Sb Layers Grown on Ge(001) and Si(001) Substrates
Novikov A., Yurasov D., Baidakova N., Bushuykin P., Andreev B., Yunin P., Drozdov M., Yablonskiy A., Kalinnikov M., Krasilnik Z.
PDF
(Eng)
Volume 50, Nº 4 (2016)
Specific features of doping with antimony during the ion-beam crystallization of silicon
Pashchenko A., Chebotarev S., Lunin L., Irkha V.
PDF
(Eng)
Volume 53, Nº 9 (2019)
Enhanced Photoluminescence of Heavily Doped n-Ge/Si(001) Layers
Prokhorov D., Shengurov V., Denisov S., Filatov D., Zdoroveishev A., Chalkov V., Zaitsev A., Ved’ M., Dorokhin M., Baidakova N.
PDF
(Eng)
Volume 50, Nº 3 (2016)
High-Voltage Silicon-Carbide Thyristor with an n-type Blocking Base
Levinshtein M., Mnatsakanov T., Yurkov S., Tandoev A., Ryu S., Palmour J.
PDF
(Eng)
Volume 53, Nº 9 (2019)
On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates
Mizerov A., Timoshnev S., Nikitina E., Sobolev M., Shubin K., Berezovskaia T., Mokhov D., Lundin W., Nikolaev A., Bouravleuv A.
PDF
(Eng)
Volume 50, Nº 3 (2016)
Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation
Tarasova E., Khananova A., Obolensky S., Zemlyakov V., Sveshnikov Y., Egorkin V., Ivanov V., Medvedev G., Smotrin D.
PDF
(Eng)
1 - 14 de 14 resultados
Dicas:
  • Palavras-chave são sensíveis a maiúsculas
  • Preposições e conjunções ingleses são ignoradas
  • Busca é feita por todos os palavras-chave (agente AND experimentador) por omissão
  • Use OR para pesquisar um termo exato, ex.: educação OR formação
  • Use parênteses para criar frases complexas, ex.: arquivo de ((revistas OR conferências) NOT teses)
  • Para pesquisar uma frase precisa use aspas duplas, ex.: "investigações científicas"
  • Exclua uma palavra utilizando o sinal - (hífen) ou operador NOT; ex.: concurso-de beleza ou concurso NOT de beleza
  • Use * como caractere-coringa, ex.: científic* recuperará as palavras "científico", "científicos", etc.