Luminescence Properties of FZ Silicon Irradiated with Swift Heavy Ions


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The optical properties of float-zone (FZ) silicon irradiated with swift heavy ions (SHI) are studied. In the low-temperature photoluminescence spectra, a broad peak in the range 1.3–1.5 μm is evident along with the well-known X, W, W', R, and C lines. In this case, it is found that, as the irradiation dose is increased in the range 3 × 1011–1013 cm–2, the photoluminescence peak falls and narrows and, at the same time, its maximum shifts to longer wavelengths.

Ключевые слова

Об авторах

S. Cherkova

Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: cherkova@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

V. Skuratov

Joint Institute for Nuclear Research; National Research Nuclear University “MEPhI”; Dubna State University

Email: cherkova@isp.nsc.ru
Россия, Dubna, Moscow region, 141980; Moscow, 115409; Dubna, Moscow region, 141982

V. Volodin

Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences; Novosibirsk State University

Email: cherkova@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).