Spectroscopy, Interaction with Radiation

Выпуск Название Файл
Том 53, № 13 (2019) Effect of Deposition Time on Structural, Morphological and Optical Properties of PVA Capped SnS Films Grown by CBD Process PDF
(Eng)
Devi P., Reddy G., Reddy K.
Том 53, № 11 (2019) Luminescence Properties of FZ Silicon Irradiated with Swift Heavy Ions PDF
(Eng)
Cherkova S., Skuratov V., Volodin V.
Том 53, № 4 (2019) Carrier Lifetime in Semiconductors with Band-Gap Widths Close to the Spin-Orbit Splitting Energies PDF
(Eng)
Bazhenov N., Mynbaev K., Semakova A., Zegrya G.
Том 53, № 3 (2019) Luminescence of (ZnSe:Al):Yb Сrystals at 4.2 K PDF
(Eng)
Makhniy V., Vakhnyak N., Kinzerska O., Pyryatynsky Y.
Том 53, № 2 (2019) Dislocation-Related Photoluminescence in Silicon Implanted with Germanium Ions PDF
(Eng)
Sobolev N., Kalyadin A., Sakharov V., Serenkov I., Shek E., Parshin E., Melesov N., Simakin C.
Том 52, № 13 (2018) Intracenter Radiative Transitions at Tantalum Impurity Centers in Cadmium Telluride PDF
(Eng)
Ushakov V., Aminev D., Krivobok V.
Том 52, № 10 (2018) Formation of Luminescence Spectra and Emission Intensity in the UV and Visible Spectral Regions for n-ZnO/p-GaN and n-ZnO/p-ZnO Structures when Depositing ZnO Films by High-Frequency Magnetron Sputtering PDF
(Eng)
Mezdrogina M., Vinogradov A., Kozhanova Y.
Том 52, № 10 (2018) Luminescence and Stimulated Emission of Polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 Films Deposited by Magnetron-Assisted Sputtering PDF
(Eng)
Svitsiankou I., Pavlovskii V., Lutsenko E., Yablonskii G., Shiripov V., Khokhlov E., Mudryi A., Zhivulko V., Borodavchenko O., Yakushev M.
Том 52, № 9 (2018) Calculation of the Influence of the Ion Current Density and Temperature on the Accumulation Kinetics of Point Defects under the Irradiation of Si with Light Ions PDF
(Eng)
Okulich E., Okulich V., Tetelbaum D.
Том 52, № 9 (2018) Optical Properties and the Mechanism of the Formation of V2O2 and V3O2 Vacancy–Oxygen Complexes in Irradiated Silicon Crystals PDF
(Eng)
Tolkacheva E., Markevich V., Murin L.
Том 52, № 7 (2018) Effect of Boron Impurity on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures Formed in Silicon by Si+ Ion Implantation PDF
(Eng)
Tereshchenko A., Korolev D., Mikhaylov A., Belov A., Nikolskaya A., Pavlov D., Tetelbaum D., Steinman E.
Том 52, № 7 (2018) Photoreflectance Spectroscopy Study of LT-GaAs Layers Grown on Si and GaAs Substrates PDF
(Eng)
Avakyants L., Bokov P., Kazakov I., Bazalevsky M., Deev P., Chervyakov A.
Том 52, № 6 (2018) Rb1 – xCsxNO3 (x = 0.025, 0.05, 0.1) Single Crystals and Their High-Temperature X-Ray Study PDF
(Eng)
Haziyeva A., Nasirov V., Asadov Y., Aliyev Y., Jabarov S.
Том 52, № 6 (2018) Forbidden Resonant Raman Scattering in GaAs/AlAs Superlattices: Experiment and Calculations PDF
(Eng)
Volodin V., Sachkov V., Sinyukov M.
Том 52, № 2 (2018) Investigation of the Far-IR Reflection Spectra of SmS Single Crystals and Polycrystals in the Homogeneity Range PDF
(Eng)
Ulashkevich Y., Kaminskiy V., Romanova M., Sharenkova N.
Том 52, № 2 (2018) Effect of Heat and Plasma Treatments on the Photoluminescence of Zinc-Oxide Films PDF
(Eng)
Abdullin K., Gritsenko L., Kumekov S., Markhabaeva A., Terukov E.
Том 52, № 1 (2018) Infrared Reflection Spectra of Pb1–xSnxSe (x = 0.2, 0.34) Topological Insulator Films on a ZnTe/GaAs Substrate and the Vibrational Modes of Multilayer Structures PDF
(Eng)
Novikova N., Yakovlev V., Kucherenko I., Vinogradov V., Aleschenko Y., Muratov A., Karczewski G., Chusnutdinow S.
Том 51, № 10 (2017) Reflectance spectra of p-Bi2Te3:Sn crystals in a wide IR region PDF
(Eng)
Nemov S., Ulashkevich Y., Allahkhah A.
Том 51, № 8 (2017) Effects of irradiation with 8-MeV protons on n-3C-SiC heteroepitaxial layers PDF
(Eng)
Lebedev A., Ber B., Oganesyan G., Belov S., Lebedev S., Nikitina I., Seredova N., Shakhov L., Kozlovski V.
Том 51, № 5 (2017) Optical an photoelectric properties odf ZnSe:Ti crystals PDF
(Eng)
Nitsuk Y., Vaksman Y.
Том 51, № 5 (2017) Electronic excitation transfer from an organic matrix to CdS nanocrystals produced by the Langmuir–Blodgett method PDF
(Eng)
Zarubanov A., Plyusnin V., Zhuravlev K.
Том 51, № 3 (2017) Effect of H+ implantation on the optical properties of semi-insulating GaAs crystals in the IR spectral region PDF
(Eng)
Klyui N., Lozinskii V., Liptuga A., Dikusha V., Oksanych A., Kogdas’ M., Perekhrest A., Pritchin S.
Том 51, № 3 (2017) Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates PDF
(Eng)
Galiev G., Grekhov M., Kitaeva G., Klimov E., Klochkov A., Kolentsova O., Kornienko V., Kuznetsov K., Maltsev P., Pushkarev S.
Том 51, № 3 (2017) Effect of temperature and doping with Cu on the reflectance spectra of PbSb2Te4 crystals PDF
(Eng)
Nemov S., Ulashkevich Y.
Том 51, № 3 (2017) Radiative d–d transitions at tungsten centers in II–VI semiconductors PDF
(Eng)
Ushakov V., Krivobok V., Pruchkina A.
1 - 25 из 36 результатов 1 2 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».