电邮这篇文章 Rapid thermal oxidation of silicon carbide
- 作者: Ivenin S.V., Krestynskov F.Y.
- 期: 卷 2, 编号 3 (2014)
- 栏目: Статьи
- ##submission.dateSubmitted##: 03.05.2025
- ##submission.dateAccepted##: 03.05.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/290425
- ID: 290425
如何引用文章
全文:
详细
The article considers the peculiarities of the process of silicon carbide thermal oxidation. Particularly, the authors focus on the low growth rate of oxide film on the surface of silicon carbide. In this connection the methods of rapid oxidation of silicon carbide plates are considered.
作者简介
S. Ivenin
编辑信件的主要联系方式.
Email: ogarevonline@yandex.ru
俄罗斯联邦
F. Krestynskov
Email: ogarevonline@yandex.ru
俄罗斯联邦
参考
- Основы технологии кремниевых интегральных схем: окисление, диффузия, эпитаксия / под ред. Р. Бургера и Р. Донована ; пер. с англ.. - М.: Из-во М.: Мир., 1969.
- Baliga B. J. Silicon Carbide Power Devices. - World Scientific, 2005.
- Silicon Carbide. Materials, Processing and Applications in Electronic Devices / Edited by Moumita Mukherjee, Published by InTech, 2011.
- Constant A., Camara N., Godignon P., Berthou M., Camessel J., Decams J.-M. Rapid and efficient oxidation process of SiC by in-situ multiple RTP steps. Silicon Carbide and Related Materials – 2009, Materials Science Forum Vols. 645-648 (2010) – pp. 817-820.
- Рембеза С. И. Рябинина И.А., Тимохин Д.П. Термическое окисление SiC. Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии // VII Международная конференция. – Кисловодск – Ставрополь: СевКавГТУ, 2007. – С.212-216.
- Das M. K. Recent advances in (0001) 4H-SiC MOS Devices Technology. Silicon Carbide and Related Materials - 2003, Materials Science Forum. – Vols 457-460 (2004).– pp. 1275-1280.
补充文件
