Быстрое термическое окисление карбида кремния
- Авторы: Ивенин С.В., Крестьянсков Ф.Ю.
- Выпуск: Том 2, № 3 (2014)
- Раздел: Статьи
- Статья получена: 03.05.2025
- Статья одобрена: 03.05.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/290425
- ID: 290425
Цитировать
Полный текст
Аннотация
В статье рассматриваются особенности процесса термического окисления карбида кремния, в частности, низкие темпы роста оксидной пленки на поверхности карбида кремния и обсуждаются способы быстрого окисления пластин карбида кремния.
Об авторах
С. В. Ивенин
Автор, ответственный за переписку.
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
Ф. Ю. Крестьянсков
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
Список литературы
- Основы технологии кремниевых интегральных схем: окисление, диффузия, эпитаксия / под ред. Р. Бургера и Р. Донована ; пер. с англ.. - М.: Из-во М.: Мир., 1969.
- Baliga B. J. Silicon Carbide Power Devices. - World Scientific, 2005.
- Silicon Carbide. Materials, Processing and Applications in Electronic Devices / Edited by Moumita Mukherjee, Published by InTech, 2011.
- Constant A., Camara N., Godignon P., Berthou M., Camessel J., Decams J.-M. Rapid and efficient oxidation process of SiC by in-situ multiple RTP steps. Silicon Carbide and Related Materials – 2009, Materials Science Forum Vols. 645-648 (2010) – pp. 817-820.
- Рембеза С. И. Рябинина И.А., Тимохин Д.П. Термическое окисление SiC. Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии // VII Международная конференция. – Кисловодск – Ставрополь: СевКавГТУ, 2007. – С.212-216.
- Das M. K. Recent advances in (0001) 4H-SiC MOS Devices Technology. Silicon Carbide and Related Materials - 2003, Materials Science Forum. – Vols 457-460 (2004).– pp. 1275-1280.
Дополнительные файлы
