Отправить статью по E-mail Метод исследования глубоких центров по задержке лавинного пробоя p-n-переходов
- Авторы: Ионычев В.К., Зинкин С.Д.
- Выпуск: Том 2, № 22 (2014)
- Раздел: Статьи
- Статья получена: 09.05.2025
- Статья одобрена: 09.05.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/290863
- ID: 290863
Цитировать
Аннотация
В статье рассматривается метод микроплазменной спектроскопии глубоких уровней. Метод анализируется для случая сильной полевой зависимости коэффициентов эмиссии.
Ключевые слова
Об авторах
В. К. Ионычев
Автор, ответственный за переписку.
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
С. Д. Зинкин
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
Список литературы
- Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой в полупроводниках. – Л. : Энергия, 1980. – 152 с.
- Булярский С. В., Сережкин Ю. Н., Ионычев В. К. Статистическая задержка пробоя микроплазмы в фосфидгаллиевых p-n-переходах // ФТП. – 1999. – Т. 33. – №. 11. – С. 1345–1349.
- Ионычев В. К., Ребров А. Н. Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов // ФТП. – 2009. – Т. 43. – №. 7. – С. 980–984.
- Булярский С. В., Грушко Н. В. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. – М. : Изд-во Моск. ун-та, 1995. – 391 с.
Дополнительные файлы
