电邮这篇文章 Method to study the deep-level trappig based on the p-n-junction avalanche breakdown delay
- 作者: Ionychev V.K., Zinkin S.D.
- 期: 卷 2, 编号 22 (2014)
- 栏目: Articles
- ##submission.dateSubmitted##: 09.05.2025
- ##submission.dateAccepted##: 09.05.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/290863
- ID: 290863
如何引用文章
详细
The article considers the deep-level microplasma method. The method is analyzed in case of the electric field influence on the carrier emission coefficients.
作者简介
V. Ionychev
编辑信件的主要联系方式.
Email: ogarevonline@yandex.ru
俄罗斯联邦
S. Zinkin
Email: ogarevonline@yandex.ru
俄罗斯联邦
参考
- Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой в полупроводниках. – Л. : Энергия, 1980. – 152 с.
- Булярский С. В., Сережкин Ю. Н., Ионычев В. К. Статистическая задержка пробоя микроплазмы в фосфидгаллиевых p-n-переходах // ФТП. – 1999. – Т. 33. – №. 11. – С. 1345–1349.
- Ионычев В. К., Ребров А. Н. Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов // ФТП. – 2009. – Т. 43. – №. 7. – С. 980–984.
- Булярский С. В., Грушко Н. В. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. – М. : Изд-во Моск. ун-та, 1995. – 391 с.
补充文件
