Моделирование заряда обратного восстановления тиристора

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

В статье приведены результаты моделирования заряда обратного восстановления тиристора в сравнении с данными измерений реального тиристора.

Об авторах

Ю. В. Горячкин

Автор, ответственный за переписку.
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия

Р. Р. Хайбулин

Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия

Список литературы

  1. Дерменжи П. Г. Расчет силовых полупроводниковых приборов / П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Н. Н. Крюкова и др. – М.: Энергия. 1980. – 184 c.
  2. Mesh Generation Tools User Guide. – Synopsys, 2011. – 176 p. – [Электронный ресурс]. – Режим доступа: meshgen_ug.pdf.
  3. Sentaurus Device User Guide. – Synopsys, 2011. – 1292 p. – [Электронный ресурс]. – Режим доступа: sdevice_ug.pdf.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

Мы используем файлы cookies, сервис веб-аналитики Яндекс.Метрика для улучшения работы сайта и удобства его использования. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были об этом проинформированы и согласны с нашими правилами обработки персональных данных.

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).