Modeling reverse recovery charge thyristor

Capa

Citar

Resumo

The article presents the simulation results of reverse recovery charge thyristor in comparison with the measurements of the actual thyristor.

Sobre autores

Yu. Goryachkin

Autor responsável pela correspondência
Email: ogarevonline@yandex.ru
Rússia

R. Haybulin

Email: ogarevonline@yandex.ru
Rússia

Bibliografia

  1. Дерменжи П. Г. Расчет силовых полупроводниковых приборов / П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Н. Н. Крюкова и др. – М.: Энергия. 1980. – 184 c.
  2. Mesh Generation Tools User Guide. – Synopsys, 2011. – 176 p. – [Электронный ресурс]. – Режим доступа: meshgen_ug.pdf.
  3. Sentaurus Device User Guide. – Synopsys, 2011. – 1292 p. – [Электронный ресурс]. – Режим доступа: sdevice_ug.pdf.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML

Мы используем файлы cookies, сервис веб-аналитики Яндекс.Метрика для улучшения работы сайта и удобства его использования. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были об этом проинформированы и согласны с нашими правилами обработки персональных данных.

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).