Отправить статью по E-mail Особенности применения технологии двукратного экспонирования однослойного фоторезиста при изготовлении полупроводниковых ИЭТ и фотошаблонов
- Авторы: Бухаров А.А.1, Шестеркина А.А.1, Фролов К.А.1
-
Учреждения:
- Выпуск: Том 3, № 11 (2015)
- Страницы: 43-50
- Раздел: Статьи
- Статья получена: 01.11.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/349356
- ID: 349356
Цитировать
Аннотация
Проводится анализ известных фотолитографических методов формирования на поверхности подложек рисунков малоразмерных элементов рельефа, получаемых с использованием двукратного экспонирования фоторезистивных слоев в виде наложения экспозиций фоторезиста и в виде наложения фоторезистивных масок. Отмечены недостатки, присущие указанным методам, а также приведена схема усовершенствованного процесса фотолитографии, позволяющая избежать отмеченных недостатков и получить элементы топологического рельефа с размерами менее 1 мкм.
Список литературы
- Способ фотолитографии: патент 2 399 116 C1 Российская Федерация: МПК7 H01 L 21/ 308 / Бухаров А. А., Начкин В. В.; заявитель и патентообладатель ГОУ ВПО "Морд. государственный университет им. Н. П. Огарева". - No 2 009 126 338/28, заявл. 08.07.2009; опубл. 10.09.2010.
- Способ фотолитографии: патент 2 325 000 C1 Российская Федерация: МПК7 H01 L 21/ 308 / Бухаров А. А., Шарамазанова М. М.: заявитель и патентообладатель ГОУ ВПО "Морд. государственный университет им. Н. П. Огарева". - No 2 006 141 106/28, заявл. 20.11.2006, опубл. 20.05.2008.
Дополнительные файлы
