Enviar artigo por via de e-mail The features of monolayer photoresist double exposure for manufacturing of semiconductor devices and photomasks
- Autores: Bukharov A.A.1, Shesterkina A.A.1, Frolov K.A.1
-
Afiliações:
- Edição: Volume 3, Nº 11 (2015)
- Páginas: 43-50
- Seção: Articles
- ##submission.dateSubmitted##: 01.11.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/349356
- ID: 349356
Citar
Resumo
The article presents an analysis of popular photolithographic methods of the formation of small-size elements on the substrate surface by using of double photoresist exposure obtained by imposing of photoresist layers and masks. The shortcomings of the methods are pointed out. In this connection, an improved scheme of photolithography technological process is suggested. It allows avoiding the shortcomings and obtaining small-size elements of less than 1 mcm.
Bibliografia
- Способ фотолитографии: патент 2 399 116 C1 Российская Федерация: МПК7 H01 L 21/ 308 / Бухаров А. А., Начкин В. В.; заявитель и патентообладатель ГОУ ВПО "Морд. государственный университет им. Н. П. Огарева". - No 2 009 126 338/28, заявл. 08.07.2009; опубл. 10.09.2010.
- Способ фотолитографии: патент 2 325 000 C1 Российская Федерация: МПК7 H01 L 21/ 308 / Бухаров А. А., Шарамазанова М. М.: заявитель и патентообладатель ГОУ ВПО "Морд. государственный университет им. Н. П. Огарева". - No 2 006 141 106/28, заявл. 20.11.2006, опубл. 20.05.2008.
Arquivos suplementares
