Отправить статью по E-mail Моделирование влияния параметров модели тиристора на коммутационные потери в схеме инвертора тока
- Авторы: Силкин Д.С., Падеров В.П.
- Выпуск: Том 2, № 22 (2014)
- Раздел: Статьи
- Статья получена: 09.05.2025
- Статья одобрена: 09.05.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/290867
- ID: 290867
Цитировать
Аннотация
В программе «Saber» проведено моделирование влияния времени жизни носителей заряда в базовых областях тиристора на мощность коммутационных потерь в тиристорах в схеме инвертора тока при их последовательном соединении. Исследовано влияние разброса зарядов обратного восстановления и времен жизни в последовательном соединении тиристоров при последовательном соединении на коммутационные потери. Рассчитан относительный перегрев тиристоров, возникающий из-за разброса параметров.
Об авторах
Д. С. Силкин
Автор, ответственный за переписку.
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
В. П. Падеров
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
Список литературы
- Ma C. L., Lauritzen P. O., Sigg J. Modeling of High-Power Thyristors Using the Lumped- Charge Modeling Technique // 6th European Conference on Power Electronics and Applications. – 1995. – Vol. 2. – pp. 15–21.
- Baliga B. J. Fundamentals of Power Semiconductor Devices. – NY.: Springer, 2008. – 1069 p.
- Akiyama H., Kondoh H., Satoh K., Nakagawa T., Fujimoto T., Iwashita Y., Inoue M. Lifetime Control in Thyristors by Proton Irradiation // Bulletin of the Institute for Chemical Research. – Kyoto: Kyoto University, 1992. – pp. 55–60.
- Siemieniec R., Lutz J. Axial Lifetime Control by Radiation Induced Centres in Fast Recovery Diodes. – [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.broeselsworld.de/image/work/isps2002_1_save.pdf.
- Carlson R. O., Sun Y.S., Assalit H.B. Lifetime Control in Silicon Power Devices by Electron or Gamma Irradiation // IEEE Transactions on Electron Devices. – 1977. – Vol. ED–24, № 8. – pp. 1103–1108.
- Дерменжи П. Г., Кузьмин В. А., Крюкова Н. Н., Мамонов В. И., Павлик В. Я., Крюкова Н. Н. и др. Расчёт силовых полупроводниковых приборов. – М.: Энергия, 1980. – 184 с.
- Абрамович М. И., Бабайлов В. М., Либер В. Е. Диоды и тиристоры в преобразовательных установках. – М.: Энергоатомиздат, 1992. – 432 с.
- Fast switching thyristor TFI173-2000: справочные данные на тиристор ТБИ-173 ОАО
- «Электровыпрямитель». – [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.elvpr.ru/en/poluprovodnikprib/tiristory/TFI173-2000%20(EN).pdf.
Дополнительные файлы
