Моделирование зависимости напряжения включения высоковольтных тиристоров от конструкции встроенного диода включения
- Авторы: Кирдяшкин Н.Н., Падеров В.П.
- Выпуск: Том 7, № 11 (2019)
- Раздел: Статьи
- Статья получена: 07.04.2025
- Статья одобрена: 07.04.2025
- URL: https://ogarev-online.ru/2311-2468/article/view/286739
- ID: 286739
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Статья посвящена исследованию влияния конструкции диода включения на напряжение включения тиристоров с самозащитой от перенапряжения. Рассматриваются результаты физико-топологического моделирования.
Об авторах
Н. Н. Кирдяшкин
Автор, ответственный за переписку.
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
В. П. Падеров
Email: ogarevonline@yandex.ru
Россия
Список литературы
- Пат. 5455434 США, МПК H 01 L 29 / 743, Thyristor with breakdown region / F. Pfirsch; заявитель и правообладатель Siemens Aktiengesellschaft – № 19930059492; заявл. 10.05.1993; опубл. 03.10.1995. – 5 с.
- Niedernostheide F. -J., Schulze H.-J., Kellner-Werdehausen U., Dorn J., Westerholt D. Light-Triggered Thyristors with Integrated Protection Functions // Power Semiconductor Devices and ICs. – 2000. – Vol. 12. – P. 267–270.
- Sentaurus Structure Editor User Guide. Synopsis TCAD Release 10.0., 2017. – 880 p.
- Sentaurus Device User Guide. Synopsis TCAD Release 10.0, 2017. – 1546 p.
Дополнительные файлы
