Mechanism of the Semiconductor–Metal Phase Transition in Sm 1– x  Gd  x  S Thin Films

V. V. Kaminsky; S. M. Soloviev; G. D. Khavrov; N. V. Sharenkova

doi:10.1134/S1063782618010116

Mechanism of the Semiconductor–Metal Phase Transition in Sm_1–xGd_xS Thin Films

Авторы: Kaminsky V.V.¹, Soloviev S.M.¹, Khavrov G.D.¹, Sharenkova N.V.¹
Учреждения:
1. Ioffe Institute
Выпуск: Том 52, № 1 (2018)
Страницы: 41-43
Раздел: Surfaces, Interfaces, and Thin Films
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7826/article/view/202224
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618010116
ID: 202224

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The influence of the Gd content on the semiconductor–metal phase transition in polycrystalline Sm_1–xGd_xS thin films produced by the flash evaporation of a powder in vacuum is studied. It is shown that the basic factor of the physical mechanism of the phase transition is compression of the film material. It is established that the films retain their semiconductor properties only up to a Gd content of x = 0.12.