Mechanism of the Semiconductor–Metal Phase Transition in Sm 1– x  Gd  x  S Thin Films

V. V. Kaminsky; S. M. Soloviev; G. D. Khavrov; N. V. Sharenkova

doi:10.1134/S1063782618010116

Mechanism of the Semiconductor–Metal Phase Transition in Sm_1–xGd_xS Thin Films

Авторлар: Kaminsky V.V.¹, Soloviev S.M.¹, Khavrov G.D.¹, Sharenkova N.V.¹
Мекемелер:
1. Ioffe Institute
Шығарылым: Том 52, № 1 (2018)
Беттер: 41-43
Бөлім: Surfaces, Interfaces, and Thin Films
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7826/article/view/202224
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618010116
ID: 202224

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The influence of the Gd content on the semiconductor–metal phase transition in polycrystalline Sm_1–xGd_xS thin films produced by the flash evaporation of a powder in vacuum is studied. It is shown that the basic factor of the physical mechanism of the phase transition is compression of the film material. It is established that the films retain their semiconductor properties only up to a Gd content of x = 0.12.