Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation

E. A. Tarasova; A. V. Khananova; S. V. Obolensky; V. E. Zemlyakov; Yu. N. Sveshnikov; V. I. Egorkin; V. A. Ivanov; G. V. Medvedev; D. S. Smotrin

doi:10.1134/S1063782616030222

Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation

Авторы: Tarasova E.A.¹, Khananova A.V.¹, Obolensky S.V.¹, Zemlyakov V.E.², Sveshnikov Y.N.³, Egorkin V.I.³, Ivanov V.A.⁴, Medvedev G.V.⁴, Smotrin D.S.¹^,4
Учреждения:
1. Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod
2. Institute of Electronic Engineering “MIET”
3. JSC Elma-Malachit
4. JSC RPE “Salut”
Выпуск: Том 50, № 3 (2016)
Страницы: 326-333
Раздел: Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7826/article/view/196873
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030222
ID: 196873

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The results of experimental studies of the parameters of GaN and GaAs structures before and after γ-neutron irradiation are reported. A special set of test diodes making it possible to reduce the error in the results of measuring the parameters of the structures, which is important in the design and optimization of the structure of semiconductor devices, is suggested.