Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation

E. A. Tarasova; A. V. Khananova; S. V. Obolensky; V. E. Zemlyakov; Yu. N. Sveshnikov; V. I. Egorkin; V. A. Ivanov; G. V. Medvedev; D. S. Smotrin

doi:10.1134/S1063782616030222

Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation

Авторлар: Tarasova E.A.¹, Khananova A.V.¹, Obolensky S.V.¹, Zemlyakov V.E.², Sveshnikov Y.N.³, Egorkin V.I.³, Ivanov V.A.⁴, Medvedev G.V.⁴, Smotrin D.S.¹^,4
Мекемелер:
1. Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod
2. Institute of Electronic Engineering “MIET”
3. JSC Elma-Malachit
4. JSC RPE “Salut”
Шығарылым: Том 50, № 3 (2016)
Беттер: 326-333
Бөлім: Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7826/article/view/196873
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030222
ID: 196873

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The results of experimental studies of the parameters of GaN and GaAs structures before and after γ-neutron irradiation are reported. A special set of test diodes making it possible to reduce the error in the results of measuring the parameters of the structures, which is important in the design and optimization of the structure of semiconductor devices, is suggested.