Physics of Semiconductor Devices

Выпуск Название Файл
Том 53, № 13 (2019) Analysis of Al0.15Ga0.85N/GaN/Al0.15Ga0.85N DH-HEMT for RF and Microwave Frequency Applications PDF
(Eng)
Chugh N., Kumar M., Bhattacharya M., Gupta R.
Том 53, № 13 (2019) Influence of Si-Doping on the Performance of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells PDF
(Eng)
Chen X., Zhao B., Li S.
Том 53, № 13 (2019) Analytical Modeling of Surface Potential and Drain Current of Hetero-Dielectric DG TFET and Its Analog and Radio-Frequency Performance Evaluation PDF
(Eng)
Patel S., Kumar D., Chaurasiya N., Tripathi S.
Том 53, № 13 (2019) Comparative Analysis of Double Gate Junction Less (DG JL) and Gate Stacked Double Gate Junction Less (GS DG JL) MOSFETs PDF
(Eng)
Shrey Arvind Singh ., Shweta Tripathi .
Том 53, № 12 (2019) On the Application of Schottky Contacts in the Microwave, Extremely High Frequency, and THz Ranges PDF
(Eng)
Torkhov N., Babak L., Kokolov A.
Том 53, № 12 (2019) InGaAlP/GaAs Injection Lasers of the Orange Optical Range (~600 nm) PDF
(Eng)
Nadtochiy A., Shchukin V., Cherkashin N., Denneulin T., Zhukov A., Maximov M., Gordeev N., Payusov A., Kulagina M., Shernyakov Y., Ledentsov N.
Том 53, № 12 (2019) Ga(In)AsP Lateral Nanostructures as the Optical Component of GaAs-Based Photovoltaic Converters PDF
(Eng)
Karlina L., Vlasov A., Shvarts M., Soshnikov I., Smirnova I., Komissarenko F., Ankudinov A.
Том 53, № 12 (2019) GaAs-Based Laser Diode with InGaAs Waveguide Quantum Wells PDF
(Eng)
Dikareva N., Zvonkov B., Samartsev I., Nekorkin S., Baidus N., Dubinov A.
Том 53, № 11 (2019) High-Voltage AlInGaN LED Chips PDF
(Eng)
Markov L., Kukushkin M., Pavlyuchenko A., Smirnova I., Itkinson G., Osipov O.
Том 53, № 11 (2019) Counteracting the Photovoltaic Effect in the Top Intergenerator Part of GaInP/GaAs/Ge Solar Cells PDF
(Eng)
Mintairov M., Evstropov V., Mintairov S., Shvarts M., Kalyuzhnyy N.
Том 53, № 10 (2019) Semiconductor Laser Quasi-Array with Phase-Locked Single-Mode Emitting Channels PDF
(Eng)
Gordeev N., Payusov A., Maximov M.
Том 53, № 10 (2019) Impact of High-Energy Electron Irradiation on Surge Currents in 4H-SiC JBS Schottky Diodes PDF
(Eng)
Lebedev A., Kozlovski V., Ivanov P., Levinshtein M., Zubov A.
Том 53, № 8 (2019) Evaluation of the Impact of Surface Recombination in Microdisk Lasers by Means of High-Frequency Modulation PDF
(Eng)
Blokhin S., Kulagina M., Guseva Y., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Mozharov A., Zubov F., Maximov M., Zhukov A., Moiseev E., Kryzhanovskaya N.
Том 53, № 8 (2019) Influence of Output Optical Losses on the Dynamic Characteristics of 1.55-μm Wafer-Fused Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers PDF
(Eng)
Blokhin S., Bobrov M., Blokhin A., Kuzmenkov A., Maleev N., Ustinov V., Kolodeznyi E., Rochas S., Babichev A., Novikov I., Gladyshev A., Karachinsky L., Denisov D., Voropaev K., Ionov A., Egorov A.
Том 53, № 8 (2019) Module of Laser-Radiation (λ = 1064 nm) Photovoltaic Converters PDF
(Eng)
Khvostikov V., Kalyuzhnyy N., Mintairov S., Potapovich N., Sorokina S., Shvarts M.
Том 53, № 8 (2019) Sensing Amorphous/Crystalline Silicon Surface Passivation by Attenuated Total Reflection Infrared Spectroscopy of Amorphous Silicon on Glass PDF
(Eng)
Abolmasov S., Abramov A., Semenov A., Shakhray I., Terukov E., Malchukova E., Trapeznikova I.
Том 53, № 7 (2019) High-Voltage Diffused Step Recovery Diodes: I. Numerical Simulation PDF
(Eng)
Kyuregyan A.
Том 53, № 7 (2019) High-Voltage Diffused Step Recovery Diodes: II. Theory PDF
(Eng)
Kyuregyan A.
Том 53, № 7 (2019) Low-Temperature Annealing of Lightly Doped n-4H-SiC Layers after Irradiation with Fast Electrons PDF
(Eng)
Korolkov O., Kozlovski V., Lebedev A., Sleptsuk N., Toompuu J., Rang T.
Том 53, № 6 (2019) Correction of the Reverse Recovery Characteristics of High-Voltage 4H-SiC Junction Diodes Using Proton Irradiation PDF
(Eng)
Ivanov P., Kudoyarov M., Potapov A., Samsonova T.
Том 53, № 6 (2019) Light-Emitting Diodes Based on an Asymmetrical InAs/InAsSb/InAsSbP Double Heterostructure for CO2 (λ = 4.3 μm) and CO (λ = 4.7 μm) Detection PDF
(Eng)
Romanov V., Belykh I., Ivanov E., Alekseev P., Il’inskaya N., Yakovlev Y.
Том 53, № 6 (2019) Specific Features of Closed-Mode Formation in Rectangular Resonators Based on InGaAs/AlGaAs/GaAs Heterostructures for High-Power Semiconductor Lasers PDF
(Eng)
Podoskin A., Romanovich D., Shashkin I., Gavrina P., Sokolova Z., Slipchenko S., Pikhtin N.
Том 53, № 6 (2019) Trends in Reverse-Current Change in Tunnel MIS Diodes with Calcium Fluoride on Si(111) Upon the Formation of an Extra Oxide Layer PDF
(Eng)
Banshchikov A., Illarionov Y., Vexler M., Wachter S., Sokolov N.
Том 53, № 6 (2019) Simulation Approach to Modeling of the Avalanche Breakdown of a p–n Junction PDF
(Eng)
Shashkina A., Hanin S.
Том 53, № 6 (2019) Proton Irradiation of 4H-SiC Photodetectors with Schottky Barriers PDF
(Eng)
Kalinina E., Violina G., Nikitina I., Yagovkina M., Ivanova E., Zabrodski V.
1 - 25 из 198 результатов 1 2 3 4 5 6 7 8 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».