Silicon pressure transmitters with overload protection


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The paper considers protection of silicon tensoresistive sensing elements against overload. A detailed analysis is focused on silicon crystal modeling of sensing elements exposed to pressures exceeding the upper limit of measurements. The existing designs of sensing element membranes and possible configurations of locking elements are summarized. In conclusion, the design of a sensing element in a differential pressure sensor with two locking elements is proposed.

Авторлар туралы

K. Andreev

Bauman Moscow State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: kost87@mail.ru
Ресей, Moscow

A. Vlasov

Bauman Moscow State University

Email: kost87@mail.ru
Ресей, Moscow

V. Shakhnov

Bauman Moscow State University

Email: kost87@mail.ru
Ресей, Moscow

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016