Deposition of NiFe(200) and NiFe(111) textured films onto Si/SiO2 substrates by DC magnetron sputtering


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The effect of substrate temperature Tsub and bias voltage Ubias on the texture of NiFe films with thickness d ∼ 30–340 nm deposited by DC magnetron sputtering onto Si(111)/SiO2 substrates under working gas pressure ∼ 0.2 Pa has been investigated. It has been demonstrated that films grown at room substrate temperature have the (111) texture that is refined under a negative bias voltage. The deposition of films onto a grounded (Ubias ∼ 0) substrate heated to Tsub ∼ 440–640 K results in the formation of textured NiFe(200) films.

Об авторах

A. Dzhumaliev

Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov Branch); Chernyshevsky Saratov State University

Автор, ответственный за переписку.
Email: dzhas@yandex.ru
Россия, ul. Zelenaya 38, Saratov, 410019; ul. Astrakhanskaya 83, Saratov, 410012

Yu. Nikulin

Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov Branch); Chernyshevsky Saratov State University

Email: dzhas@yandex.ru
Россия, ul. Zelenaya 38, Saratov, 410019; ul. Astrakhanskaya 83, Saratov, 410012

Yu. Filimonov

Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov Branch); Chernyshevsky Saratov State University; Gagarin State Technical University of Saratov

Email: dzhas@yandex.ru
Россия, ul. Zelenaya 38, Saratov, 410019; ul. Astrakhanskaya 83, Saratov, 410012; ul. Politekhnicheskaya 77, Saratov, 410054

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).