Single-phase epitaxial InFeSb layers with a Curie temperature above room temperature

A. V. Kudrin; Yu. A. Danilov; V. P. Lesnikov; O. V. Vikhrova; D. A. Pavlov; Yu. V. Usov; E. A. Pitirimova; I. N. Antonov

doi:10.1134/S1063783417110178

Single-phase epitaxial InFeSb layers with a Curie temperature above room temperature

Авторлар: Kudrin A.V.¹^,2, Danilov Y.A.¹^,2, Lesnikov V.P.¹, Vikhrova O.V.¹, Pavlov D.A.², Usov Y.V.², Pitirimova E.A.², Antonov I.N.¹
Мекемелер:
1. Research Institute of Physics and Technology
2. Lobachevsky State University
Шығарылым: Том 59, № 11 (2017)
Беттер: 2220-2222
Бөлім: Surface Physics, Thin Films
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7834/article/view/201536
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783417110178
ID: 201536

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Epitaxial InFeSb/GaAs heterostructures were obtained by laser deposition in vacuum. Investigations by high-resolution transmission electron microscopy and microdiffraction showed that the InFeSb layers are single-crystal and do not contain additional phase inclusions. Study of their magnetotransport properties have revealed that an anomalous Hall effect and a negative magnetoresistance up to room temperature are observed in the structures.