电邮这篇文章 FIB Lithography Challenges of Si3N4/GaN Mask Preparation for Selective Epitaxy
- 作者: Mitrofanov M.I.1, Levitskii I.V.1, Voznyuk G.V.2, Tatarinov E.E.2, Rodin S.N.1, Lundin W.V.1, Evtikhiev V.P.1, Mizerov M.3
-
隶属关系:
- Ioffe Institute
- ITMO University
- SHM RE Center, RAS
- 期: 卷 52, 编号 16 (2018)
- 页面: 2114-2116
- 栏目: 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY
- URL: https://ogarev-online.ru/1063-7826/article/view/205426
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618160212
- ID: 205426
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作者简介
M. Mitrofanov
Ioffe Institute
编辑信件的主要联系方式.
Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
俄罗斯联邦, St. Petersburg, 194021
I. Levitskii
Ioffe Institute
Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
俄罗斯联邦, St. Petersburg, 194021
G. Voznyuk
ITMO University
Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
俄罗斯联邦, Saint Petersburg, 197101
E. Tatarinov
ITMO University
Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
俄罗斯联邦, Saint Petersburg, 197101
S. Rodin
Ioffe Institute
Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
俄罗斯联邦, St. Petersburg, 194021
W. Lundin
Ioffe Institute
Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
俄罗斯联邦, St. Petersburg, 194021
V. Evtikhiev
Ioffe Institute
Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
俄罗斯联邦, St. Petersburg, 194021
M.N. Mizerov
SHM RE Center, RAS
Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
俄罗斯联邦, St. Petersburg
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