Optical thyristor based on GaAs/InGaP materials

B. N. Zvonkov; N. V. Baidus; S. M. Nekorkin; O. V. Vikhrova; A. V. Zdoroveyshev; A. V. Kudrin; V. E. Kotomina

doi:10.1134/S1063782617110306

Optical thyristor based on GaAs/InGaP materials

Авторы: Zvonkov B.N.¹, Baidus N.V.¹, Nekorkin S.M.¹, Vikhrova O.V.¹, Zdoroveyshev A.V.¹, Kudrin A.V.¹, Kotomina V.E.¹
Учреждения:
1. Physico-Technical Research Institute of Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod
Выпуск: Том 51, № 11 (2017)
Страницы: 1391-1394
Раздел: XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7826/article/view/201450
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110306
ID: 201450

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The possibility of creating thyristor structures with external optical control by laser radiation with a wavelength of ~800 nm, based on single-crystal wafers of semi-insulating GaAs and layers of InGaP with the lattice parameter compatible with GaAs, is shown.