Polarization of the induced THz emission of donors in silicon

K. A. Kovalevsky; R. Kh. Zhukavin; V. V. Tsyplenkov; S. G. Pavlov; H. -W. Hübers; N. V. Abrosimov; V. N. Shastin

doi:10.1134/S1063782616120101

Polarization of the induced THz emission of donors in silicon

Авторы: Kovalevsky K.A.¹, Zhukavin R.K.¹, Tsyplenkov V.V.¹, Pavlov S.G.², Hübers H.-.²^,3, Abrosimov N.V.⁴, Shastin V.N.⁴
Учреждения:
1. Institute for Physics of Microstructures
2. Humboldt University of Berlin
3. Institute of Optical Sensor Systems DLR
4. Leibniz Institute for Crystal Growth
Выпуск: Том 50, № 12 (2016)
Страницы: 1673-1677
Раздел: XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7826/article/view/199097
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120101
ID: 199097

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The polarization of the terahertz (4.9–6.4 THz) stimulated emission of Group-V (Sb, P, As, Bi) donors in single-crystal silicon under pumping (photoionization) by a CO₂ laser (photon energy 117 meV), depending on the uniaxial compressive deformation of the crystal along the [100] axis, is experimentally investigated. The influence of the field direction of the pump wave on its efficiency is discussed.