Polarization of the induced THz emission of donors in silicon

K. A. Kovalevsky; R. Kh. Zhukavin; V. V. Tsyplenkov; S. G. Pavlov; H. -W. Hübers; N. V. Abrosimov; V. N. Shastin

doi:10.1134/S1063782616120101

Polarization of the induced THz emission of donors in silicon

Авторлар: Kovalevsky K.A.¹, Zhukavin R.K.¹, Tsyplenkov V.V.¹, Pavlov S.G.², Hübers H.-.²^,3, Abrosimov N.V.⁴, Shastin V.N.⁴
Мекемелер:
1. Institute for Physics of Microstructures
2. Humboldt University of Berlin
3. Institute of Optical Sensor Systems DLR
4. Leibniz Institute for Crystal Growth
Шығарылым: Том 50, № 12 (2016)
Беттер: 1673-1677
Бөлім: XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7826/article/view/199097
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120101
ID: 199097

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The polarization of the terahertz (4.9–6.4 THz) stimulated emission of Group-V (Sb, P, As, Bi) donors in single-crystal silicon under pumping (photoionization) by a CO₂ laser (photon energy 117 meV), depending on the uniaxial compressive deformation of the crystal along the [100] axis, is experimentally investigated. The influence of the field direction of the pump wave on its efficiency is discussed.