Features of the Properties of Rare-Earth Semiconductors


Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

It is shown that the unique features of the physical properties of rare-earth semiconductor compounds are based on the small values of the ionization potentials of the rare-earth elements included in them. The reason for this is the presence of 4f shells in the electronic structure of the elements.

Sobre autores

V. Kaminski

Ioffe Institute

Autor responsável pela correspondência
Email: Vladimir.kaminski@mail.ioffe.ru
Rússia, St. Petersburg, 194021

N. Sharenkova

Ioffe Institute

Email: Vladimir.kaminski@mail.ioffe.ru
Rússia, St. Petersburg, 194021

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML

Declaração de direitos autorais © Pleiades Publishing, Ltd., 2019