Effect of Ion-Beam Processing during RF Magnetron Sputtering on the properties of ZnO Films

P. N. Krylov; A. S. Alalykin; E. A. Durman; R. M. Zakirova; I. V. Fedotova

doi:10.1134/S1063782619110095

Effect of Ion-Beam Processing during RF Magnetron Sputtering on the properties of ZnO Films

Авторлар: Krylov P.N.¹, Alalykin A.S.¹, Durman E.A.¹, Zakirova R.M.¹, Fedotova I.V.¹
Мекемелер:
1. Udmurt State University
Шығарылым: Том 53, № 11 (2019)
Беттер: 1457-1464
Бөлім: Surfaces, Interfaces, and Thin Films
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7826/article/view/207272
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619110095
ID: 207272

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The effect of ion-beam processing alternating with magnetron sputtering on the properties of zinc-oxide thin films is investigated. It is shown that ion-beam processing reduces the growth rate, coherent-scattering-region sizes, and the resistivity. The stoichiometric index, band gap, and refractive index increase. The transparency of the films in the weak absorption region remains unchanged.