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Layer-by-Layer Analysis of the Thickness Distribution of Silicon Dioxide in the Structure SiO2/Si(111) by Inelastic Electron Scattering Cross-Section Spectroscopy
Pchelyakov O., Mikhlin Y., Parshin A., Kushchenkov S.
Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation
Tarasova E., Khananova A., Obolensky S., Zemlyakov V., Sveshnikov Y., Egorkin V., Ivanov V., Medvedev G., Smotrin D.
Dependence of the Surface Morphology and Structure of CuIn0.95Ga0.05Se2 Films on the Selenization Temperature
Gadzhiev T., Aliev M., Asvarov A., Gadzhieva R., Bilalov B., Ismailov A., Shomakhov Z.
Simulation and Experimental Studies of Illumination Effects on the Current Transport of Nitridated GaAs Schottky Diode
Rabehi A., Bideux L., Gruzza B., Monier G., Hatem-Kacha A., Guermoui M., Ziane A., Akkal B., Benamara Z., Amrani M., Robert-Goumet C.
Analysis of the Behavior of Nonequilibrium Semiconductor Structures and Microwave Transistors During and After Pulsed γ- and γ-Neutron Irradiation
Venediktov M., Dukov D., Krevskiy M., Metelkin I., Chukov G., Elesin V., Obolensky S., Bozhen’kina A., Tarasova E., Fefelov A.
Formation and Properties of Locally Tensile Strained Ge Microstructures for Silicon Photonics
Novikov A., Yurasov D., Morozova E., Skorohodov E., Verbus V., Yablonskiy A., Baidakova N., Gusev N., Kudryavtsev K., Nezhdanov A., Mashin A.
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