🔧На сайте запланированы технические работы
25.12.2025 в промежутке с 18:00 до 21:00 по Московскому времени (GMT+3) на сайте будут проводиться плановые технические работы. Возможны перебои с доступом к сайту. Приносим извинения за временные неудобства. Благодарим за понимание!
🔧Site maintenance is scheduled.
Scheduled maintenance will be performed on the site from 6:00 PM to 9:00 PM Moscow time (GMT+3) on December 25, 2025. Site access may be interrupted. We apologize for the inconvenience. Thank you for your understanding!

 

Author Details

Morozov, I. A.

Issue Section Title File
Vol 50, No 5 (2016) Physics of Semiconductor Devices GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells
Vol 52, No 16 (2018) 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY InGaN/GaN QDs Nanorods: Processing and Properties
Vol 52, No 16 (2018) 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY Processing of GaN/Si(111) Epitaxial Structures for MEMS Applications