Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019

Выпуск Название Файл
Том 53, № 10 (2019) Vertical Field-Effect Transistor with a Controlling GaAs-Based p–n Junction PDF
(Eng)
Vostokov N., Daniltsev V., Kraev S., Krukov V., Skorokhodov E., Strelchenko S., Shashkin V.
Том 53, № 10 (2019) 2D Bragg Resonators Based on Planar Dielectric Waveguides (from Theory to Model-Based Testing) PDF
(Eng)
Ginzburg N., Peskov N., Zaslavsky V., Kocharovskaya E., Malkin A., Sergeev A., Baryshev V., Proyavin M., Sobolev D.
Том 53, № 10 (2019) On the Asymmetric Generation of a Superradiant Laser with a Symmetric Low-Q Cavity PDF
(Eng)
Kocharovsky V., Kukushkin V., Tarasov S., Kocharovskaya E., Kocharovsky V.
Том 53, № 10 (2019) Features of the Simultaneous Generation of Low-Q and High-Q Modes in Heterolasers Based on Quantum Dots with a Long Incoherent Relaxation Time of Optical Dipole Oscillations PDF
(Eng)
Kocharovskaya E., Mishin A., Ryabinin I., Kocharovsky V.
Том 53, № 10 (2019) Nonclassical Light Sources Based on Selectively Positioned Deterministic Microlens Structures and (111) In(Ga)As Quantum Dots PDF
(Eng)
Derebezov I., Gaisler V., Gaisler A., Dmitriev D., Toropov A., von Helversen M., de la Haye C., Bounouar S., Reitzenstein S.
Том 53, № 10 (2019) Coherence Dynamics of the Exciton-Polariton System in GaAs Microcavities under Pulse Resonant Photoexcitation PDF
(Eng)
Kulakovskii V., Demenev A.
Том 53, № 10 (2019) Interaction of a Tamm Plasmon and Exciton in an Organic Material in the Strong Coupling Mode PDF
(Eng)
Morozov K., Belonovskii A., Ivanov K., Girshova E., Kaliteevski M.
Том 53, № 10 (2019) Comparative Analysis of the Luminescence of Ge:Sb Layers Grown on Ge(001) and Si(001) Substrates PDF
(Eng)
Novikov A., Yurasov D., Baidakova N., Bushuykin P., Andreev B., Yunin P., Drozdov M., Yablonskiy A., Kalinnikov M., Krasilnik Z.
Том 53, № 10 (2019) Locally Strained Ge/SOI Structures with an Improved Heat Sink as an Active Medium for Silicon Optoelectronics PDF
(Eng)
Yurasov D., Baidakova N., Verbus V., Gusev N., Mashin A., Morozova E., Nezhdanov A., Novikov A., Skorohodov E., Shengurov D., Yablonskiy A.
Том 53, № 10 (2019) Ordered Arrays of Ge(Si) Quantum Dots Incorporated into Two-Dimensional Photonic Crystals PDF
(Eng)
Smagina Z., Zinovyev V., Rodyakina E., Fomin B., Stepikhova M., Yablonskiy A., Gusev S., Novikov A., Dvurechenskii A.
Том 53, № 10 (2019) On the Intracenter Relaxation of Shallow Antimony Donors in Strained Germanium PDF
(Eng)
Tsyplenkov V., Shastin V.
Том 53, № 10 (2019) On the Two-Phonon Relaxation of Excited States of Boron Acceptors in Diamond PDF
(Eng)
Bekin N.
Том 53, № 10 (2019) Ohmic Contacts to CVD Diamond with Boron-Doped Delta Layers PDF
(Eng)
Arkhipova E., Demidov E., Drozdov M., Kraev S., Shashkin V., Lobaev M., Vikharev A., Gorbachev A., Radishchev D., Isaev V., Bogdanov S.
Том 53, № 10 (2019) Comparison of the Radiation Resistance of Prospective Bipolar and Heterobipolar Transistors PDF
(Eng)
Shobolova T., Korotkov A., Petryakova E., Lipatnikov A., Puzanov A., Obolensky S., Kozlov V.
Том 53, № 10 (2019) Emission Properties of Heavily Doped Epitaxial Indium-Nitride Layers PDF
(Eng)
Andreev B., Lobanov D., Krasil’nikova L., Bushuykin P., Yablonskiy A., Novikov A., Davydov V., Yunin P., Kalinnikov M., Skorohodov E., Krasil’nik Z.
Том 53, № 10 (2019) Residual-Photoconductivity Spectra in HgTe/CdHgTe Quantum-Well Heterostructures PDF
(Eng)
Spirin K., Gaponova D., Gavrilenko V., Mikhailov N., Dvoretsky S.
Том 53, № 9 (2019) Plasma-Chemical Deposition of Diamond-Like Films onto the Surface of Heavily Doped Single-Crystal Diamond PDF
(Eng)
Korolyov S., Kraev S., Arkhipova E., Skorokhodov E., Bushuykin P., Shashkin V., Okhapkin A., Yunin P., Drozdov M.
Том 53, № 9 (2019) On the Combined Application of Raman Spectroscopy and Photoluminescence Spectroscopy for the Diagnostics of Multilayer Heterostructures PDF
(Eng)
Plankina S., Vikhrova O., Zvonkov B., Zubkov S., Kriukov R., Nezhdanov A., Pavlov D., Pashen’kin I., Sushkov A.
Том 53, № 9 (2019) On the Amplification of Terahertz Radiation by High-Q Resonant Plasmons in a Periodic Graphene Bilayer under Plasmon-Mode Anticrossing PDF
(Eng)
Polischuk O., Fateev D., Popov V.
Том 53, № 9 (2019) Second-Harmonic Generation of Subterahertz Gyrotron Radiation by Frequency Doubling in InP:Fe and Its Application for Magnetospectroscopy of Semiconductor Structures PDF
(Eng)
Rumyantsev V., Maremyanin K., Fokin A., Dubinov A., Utochkin V., Glyavin M., Mikhailov N., Dvoretskii S., Morozov S., Gavrilenko V.
Том 53, № 9 (2019) Computational and Experimental Simulation of Static Memory Cells of Submicron Microcircuits under the Effect of Neutron Fluxes PDF
(Eng)
Puzanov A., Venediktov M., Obolenskiy S., Kozlov V.
Том 53, № 9 (2019) GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates PDF
(Eng)
Abramkin D., Petrushkov M., Putyato M., Semyagin B., Emelyanov E., Preobrazhenskii V., Gutakovskii A., Shamirzaev T.
Том 53, № 9 (2019) On the Spin States of Electrons in a Double Quantum Dot in a Two-Dimensional Topological Insulator with Spin-Orbit Interaction PDF
(Eng)
Sukhanov A., Sablikov V.
Том 53, № 9 (2019) Semiconductor Heterolasers with Double-Mirror Two-Dimensional Bragg Resonators PDF
(Eng)
Baryshev V., Ginzburg N., Zaslavsky V., Malkin A.
Том 53, № 9 (2019) Chemical Shift and Exchange Interaction Energy of the 1s States of Magnesium Donors in Silicon. The Possibility of Stimulated Emission PDF
(Eng)
Shastin V., Zhukavin R., Kovalevsky K., Tsyplenkov V., Rumyantsev V., Shengurov D., Pavlov S., Shuman V., Portsel L., Lodygin A., Astrov Y., Abrosimov N., Klopf J., Hübers H.
1 - 25 из 43 результатов 1 2 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».