Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors

Выпуск Название Файл
Том 53, № 12 (2019) Effects of Doping of Lead Sulfide with Silver on the Lattice and Optical Properties of Pb1 –xAgxS Solid Solutions PDF
(Eng)
Sadovnikov S.
Том 53, № 11 (2019) Determination of the Free Charge Carrier Concentration in Boron-Doped Silicon Nanowires Using Attenuated Total Reflection Infrared Spectroscopy PDF
(Eng)
Lipkova E., Efimova A., Gonchar K., Presnov D., Eliseev A., Lapshin A., Timoshenko V.
Том 53, № 10 (2019) Impact of the Percolation Effect on the Temperature Dependences of the Capacitance–Voltage Characteristics of Heterostructures Based on Composite Layers of Silicon and Gold Nanoparticles PDF
(Eng)
Sobolev M., Yavsin D., Gurevich S.
Том 53, № 8 (2019) On the Synthesis and Photoluminescence and Cathodoluminescence Properties of CdSe, CdTe, PbS, InSb, and GaAs Colloidal Quantum Dots PDF
(Eng)
Zhukov N., Kryl’skiy D., Shishkin M., Khazanov A.
Том 53, № 8 (2019) Effect of Bismuth on the Properties of Elastically Stressed AlGaInAsP〈Bi〉/InP Heterostructures PDF
(Eng)
Lunina M., Lunin L., Alfimova D., Pashchenko A., Danilina E., Nefedov V.
Том 53, № 8 (2019) Relaxation, Thermal, and Interphase Effects in Polymer–Ferroelectric-Piezoelectric Ceramic Composites of Different Structures PDF
(Eng)
Kurbanov M., Ramazanova I., Dadashov Z., Mamedov F., Huseynova G., Yusifova U., Tatardar F., Faraczade I.
Том 53, № 7 (2019) Orientation Relationships upon the Structural Transformation of Monoclinic and Cubic Phases in Silver Sulfide PDF
(Eng)
Sadovnikov S., Rempel A.
Том 53, № 7 (2019) Size Dependence of the Melting Point of Silicon Nanoparticles: Molecular Dynamics and Thermodynamic Simulation PDF
(Eng)
Dronnikov V., Talyzin I., Samsonov M., Samsonov V., Pushkar M.
Том 53, № 6 (2019) Optically Induced Charge Exchange in ZnO-Based Composite Structures with Embedded CsPbBr3 Nanocrystals PDF
(Eng)
Drozdov K., Krylov I., Chizhov A., Rumyantseva M., Ryabova L., Khokhlov D.
Том 53, № 6 (2019) Urbach Rule in MnGa2Se4 Single Crystals Upon Optical Absorption PDF
(Eng)
Niftiyev N.
Том 53, № 4 (2019) Raman Scattering in InSb Spherical Nanocrystals Ion-Synthesized in Silicon-Oxide Films PDF
(Eng)
Tyschenko I., Volodin V., Popov V.
Том 53, № 4 (2019) Optical Properties of CdSe/ZnS Nanoparticles in Heat-Treated Polyvinylchloride Films PDF
(Eng)
Rasmagin S., Novikov I.
Том 53, № 4 (2019) The Growth of InAsxSb1 –x Solid Solutions on Misoriented GaAs(001) Substrates by Molecular-Beam Epitaxy PDF
(Eng)
Emelyanov E., Vasev A., Semyagin B., Yesin M., Loshkarev I., Vasilenko A., Putyato M., Petrushkov M., Preobrazhenskii V.
Том 53, № 3 (2019) On the Mechanism of the Vapor–Solid–Solid Growth of Au-Catalyzed GaAs Nanowires PDF
(Eng)
Koryakin A., Kukushkin S., Sibirev N.
Том 53, № 3 (2019) Optical Properties of CdS Nanocrystals Doped with Zinc and Copper PDF
(Eng)
Nitsuk Y., Kiose M., Vaksman Y., Smyntyna V., Yatsunskyi I.
Том 53, № 2 (2019) Influence of Electric Field on the Activation Energy of Local Levels in Semiconductors with Layered (GaSe) and Cubic (Ga2Se3) Structures PDF
(Eng)
Pashayev A., Tagiyev B., Tagiyev O., Majidova V., Sadikhov I.
Том 53, № 2 (2019) Effect of Praseodymium and Lanthanum Substitution for Bismuth on the Thermoelectric Properties of BiCuSeO Oxyselenides PDF
(Eng)
Novitskii A., Serhiienko I., Novikov S., Kuskov K., Leybo D., Pankratova D., Burkov A., Khovaylo V.
Том 53, № 2 (2019) Thermoresistive Semiconductor SiC/Si Composite Material PDF
(Eng)
Brantov S., Yakimov E.
Том 53, № 2 (2019) Optical Properties of Polyethylene Filled with Bi2Te3 Nanocrystallites PDF
(Eng)
Gamzayeva A., Alizade E., Mamedov N., Abdullayev N., Amiraslanov I., Aliyeva Y., Akhmedova K., Azhdarov G., Kahramanov K., Nemov S.
Том 53, № 1 (2019) Dependence of the Bulk Electrical Properties of Multisilicon on the Grain Misorientation Parameters PDF
(Eng)
Peshcherova S., Yakimov E., Nepomnyashchikh A., Orlov V., Feklisova O., Pavlova L., Presnyakov R.
Том 53, № 1 (2019) Bonding Energy of Silicon and Sapphire Wafers at Elevated Temperatures of Joining PDF
(Eng)
Tyschenko I., Zhanaev E., Popov V.
Том 53, № 1 (2019) Influence of a por-Si Buffer Layer on the Optical Properties of Epitaxial InxGa1 –xN/Si(111) Heterostructures with a Nanocolumnar Film Morphology PDF
(Eng)
Seredin P., Goloshchapov D., Zolotukhin D., Lenshin A., Lukin A., Mizerov A., Nikitina E., Arsentyev I., Leiste H., Rinke M.
Том 53, № 1 (2019) Investigation into the Memristor Effect in Nanocrystalline ZnO Films PDF
(Eng)
Smirnov V., Tominov R., Avilov V., Alyabieva N., Vakulov Z., Zamburg E., Khakhulin D., Ageev O.
Том 52, № 13 (2018) Ab Initio Study of the ZnSnSb2 Semiconductor PDF
(Eng)
Basalaev Y.
Том 52, № 13 (2018) Influence of Hydrogen Peroxide on the Photoanodization of n-Si in the Breakdown Mode PDF
(Eng)
Li G., Astrova E., Lihachev A.
1 - 25 из 75 результатов 1 2 3 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».