Influence of Holes Capture Efficiency on Photoluminescence Temperature Dependence of n-AlGaAs/GaAs Quantum-Well Structures


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The process of excess current carriers capture from wide-gap barrier layers into a quantum well plays a decisive role in the operation of devices based on semiconductor structures. Among these devices are lasers, light-emitting diodes, and photodetectors. The oscillating dependence of the capture rate on the quantum-well width is poorly experimentally studied. The purpose of this study is to clarify the influence of oscillations of holes capture efficiency on the temperature behavior of photoluminescence in modulation-doped n-AlGaAs/GaAs heterostructures. Temperature measurements of the integrated photoluminescence intensity of structures with different quantum-well widths corresponding to different capture rates of holes (under conditions of resonant and nonresonant capture) are carried out. It is shown that the efficiency of hole capture influences not only the integrated photoluminescence intensity, but its temperature dependence as well. In resonant structures at low temperatures (77–140 K), the photoluminescence intensity decreases with increasing temperature more sharply than that in structures with inefficient capture. Such a difference is attributed to the fact that, under resonance conditions, the capture rate of holes is so high that its change with temperature does not influence the photoluminescence intensity, and the temperature quenching of photoluminescence is defined only by a decrease in the efficiency of radiative recombination β in the quantum well. In nonresonant structures, the temperature behavior of photoluminescence depends not only on the quantum efficiency β, but also on the local hole capture rate which increases, as temperature is elevated. The results of this study are of interest for optimizing the parameters of heterostructures in designing of devices, for which the efficiency of the capture of nonequilibrium charge carriers into a quantum well plays a decisive role.

Об авторах

N. Yaremenko

Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences (Fryazino Branch)

Автор, ответственный за переписку.
Email: tg275@ms.ire.rssi.ru
Россия, Fryazino, Moscow region, 141120

V. Strakhov

Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences (Fryazino Branch)

Email: tg275@ms.ire.rssi.ru
Россия, Fryazino, Moscow region, 141120

M. Karachevtseva

Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences (Fryazino Branch)

Email: tg275@ms.ire.rssi.ru
Россия, Fryazino, Moscow region, 141120

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».