Исследование электронных и оптических свойств тонкопленочных покрытий на основе SnO₂:Sb
- Авторы: Зинченко Т.О.1, Печерская Е.А.1, Кревчик В.Д.1, Коновалов С.В.2,1, Артамонов Д.В.1, Гурин С.А.1, Новичков М.Д.1, Макиевский А.3
-
Учреждения:
- Пензенский государственный университет
- Сибирский государственный индустриальный университет
- SINTERFACE Technologies
- Выпуск: № 1 (2025)
- Страницы: 81-92
- Раздел: ФИЗИКА
- URL: https://ogarev-online.ru/2072-3040/article/view/297182
- DOI: https://doi.org/10.21685/2072-3040-2025-1-7
- ID: 297182
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Актуальность и цели. Прозрачные проводящие оксиды (ППО) на основе диоксида олова (SnO₂), легированного сурьмой (Sb), представляют значительный интерес для современных технологий благодаря уникальному сочетанию высокой прозрачности в видимом диапазоне и хорошей электрической проводимости. Такие материалы широко применяются в оптоэлектронике, солнечных элементах и сенсорных устройствах. Однако для оптимизации их свойств необходимо глубокое понимание механизмов переноса заряда, что может быть достигнуто с использованием классической теории Друде. Целью данной работы является анализ на основе теории Друде электронных и оптических свойств тонкопленочных покрытий SnO₂:Sb, полученных методом спрей-пиролиза, а также исследование влияния концентрации носителей заряда и подвижности на проводимость и плазменную частоту. Материалы и методы. Тонкопленочные покрытия SnO₂:Sb получены методом спрей-пиролиза на стеклянных подложках. Концентрация носителей заряда n определялась с помощью эффекта Холла, а удельное сопротивление измерялось четырехточечным методом. Для анализа электрофизических свойств использована классическая теория Друде, которая позволила рассчитать подвижность носителей, время релаксации и плазменную частоту. Оптические свойства исследовались с использованием спектроскопии в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах. Результаты. Проводимость пленок SnO₂:Sb варьируется в диапазоне от 103 до 104 См/м в зависимости от степени легирования сурьмой. Подвижность носителей заряда находится в диапазоне от 4,83 ∙ 10−4 до 15,91 ∙ 10−4 м2/(В⋅с). Плазменная частота принадлежит диапазону от 1,19 ∙ 1014 до 7,94 ∙ 1014 рад/с, что соответствует длинам волн от 378 до 2520 нм. Пленки SnO₂:Sb демонстрируют высокую прозрачность (более 80 %) в видимом диапазоне для образцов с низкой концентрацией носителей. С увеличением концентрации носителей наблюдается сдвиг плазменной частоты в ультрафиолетовую область, что приводит к снижению прозрачности в видимом диапазоне. Дрейфовая скорость линейно возрастает с увеличением напряжения (U) и уменьшается с увеличением расстояния (d) между контактами. Для образцов с высокой подвижностью дрейфовая скорость достигает значений 13,25∙10−4 при U = 5 мВ и d = 5 мм. Выводы. На основе теории Друде выполнен анализ электрофизических и оптических свойств тонкопленочных покрытий SnO₂:Sb, что позволило установить возможность оптимизации проводимости и прозрачности материала посредством варьирования степени легирования сурьмой. Показано, что дрейфовая скорость носителей заряда зависит от подвижности, напряжения и геометрии образца. Это открывает возможности для проектирования устройств с улучшенными характеристиками. Полученные результаты демонстрируют перспективность использования SnO₂:Sb в оптоэлектронных устройствах, где требуется сочетание высокой прозрачности и проводимости.
Об авторах
Тимур Олегович Зинченко
Пензенский государственный университет
Автор, ответственный за переписку.
Email: scar0243@gmail.com
кандидат технических наук, старший преподаватель кафедры информационно- измерительной техники и метрологии
(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40)Екатерина Анатольевна Печерская
Пензенский государственный университет
Email: pea1@list.ru
доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой информационно-измерительной техники и метрологии
(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40)Владимир Дмитриевич Кревчик
Пензенский государственный университет
Email: physics@pnzgu.ru
доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физики, декан факультета информационных технологий и электроники
(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40)Сергей Валерьевич Коновалов
Сибирский государственный индустриальный университет; Пензенский государственный университет
Email: konovalov@sibsiu.ru
доктор технических наук, профессор, проректор по научной и инновационной деятельности; ведущий научный сотрудник научно-производственной лаборатории «Полет» кафедры информационно-измерительной техники и метрологии
(Россия, Кемеровская область – Кузбасс, г. Новокузнецк, ул. Кирова, 42);(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40)Дмитрий Владимирович Артамонов
Пензенский государственный университет
Email: dva@pnzgu.ru
доктор технических наук, профессор, профессор кафедры автономных информационных и управляющих систем, первый проректор университета
(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40)Сергей Александрович Гурин
Пензенский государственный университет
Email: teslananoel@rambler.ru
кандидат технических наук, старший научный сотрудник научно-производственной лаборатории «Полет» кафедры информационно-измерительной техники и метрологии
(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40)Максим Дмитриевич Новичков
Пензенский государственный университет
Email: novichkov1998maks@gmail.com
аспирант, младший научный сотрудник научно производственной лаборатории «Полет» кафедры информационно- измерительной техники и метрологии
(Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40)Александр Макиевский
SINTERFACE Technologies
Email: a.makievski@sinterface.com
кандидат наук, научный директор
(Германия, г. Берлин, ул. Mueggelseedamm, 70)Список литературы
- Drude P. Zur Elektronentheorie der Metalle // Annalen der Physik. 1900. Vol. 306, № 3. P. 566-613. doi: 10.1002/andp.19003060312
- Ashcroft N. W., Mermin N. D. Solid State Physics. Philadelphia : Saunders College, 1976. 848 p.
- Pecherskayaa E. A., Zinchenko T. O., Golubkova P. E., Karpanina O. V., Gurina S. A., Novichkov M. D. Analysis of the Influence of Technological Parameters on the Properties of Transparent Conductive Oxides // Theoretical Foundations of Chemical Engineering. 2024. Vol. 58, № 3. Р. 798–806.
- Pecherskaya E. A., Semenov A. D., Zinchenko T. O., Gurin S. A., Konovalov S. V., Novichkov M. D., Shepeleva A. E., Tuzova D. E. Calculation of the spray supply system characteristics for obtaining film material by spray-pyrolysis // Vacuum. 2025. Vol. 234. Р. 114100. doi: 10.1016/j.vacuum.2025.114100
- Gordon R. G. Criteria for Choosing Transparent Conductors // MRS Bulletin. 2000. Vol. 25, № 8. P. 52–57. doi: 10.1557/mrs2000.151
- Ginley D. S., Bright C. Transparent Conducting Oxides // MRS Bulletin. 2000. Vol. 25, № 8. P. 15–18. doi: 10.1557/mrs2000.256
- Chopra K. L., Major S., Pandya D. K. Transparent conductors ‒ A status review // Thin Solid Films. 1983. Vol. 102, № 1. P. 1–46. doi: 10.1016/0040-6090(83)90256-0
- Van der Pauw L. J. A method of measuring specific resistivity and Hall effect of discs of arbitrary shape // Philips Research Reports. 1958. Vol. 13. P. 1–9.
- Mishra R. L., Sharma S., Suresh R. Antimony doped tin oxide thin films: Electrical and optical properties // Materials Science in Semiconductor Processing. 2019. Vol. 93. P. 33–43. doi: 10.1016/j.mssp.2019.01.005
- Granqvist C. G. Transparent conductors as solar energy materials: A panoramic review // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2007. Vol. 91, № 17. P. 1529–1598. doi: 10.1016/j.solmat.2007.04.031
- Das S., Jayaraman V. SnO2: A comprehensive review on structures and gas sensors // Progress in Materials Science. 2014. Vol. 66. P. 112–255. doi: 10.1016/j.pmatsci.2014.06.003
- Ginley D. S., Hosono H., Paine D. C. Handbook of Transparent Conductors. New York : Springer, 2010. 533 p. doi: 10.1007/978-1-4419-1638-9
Дополнительные файлы
