Physical Properties of Solid Solutions InxAl1–xN


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The phase diagrams and the results of studies of the GaN, AlN and InN ternary solid solutions grown using the magnetron sputtering, molecular beam epitaxy, and metalorganic vapour-phase epitaxy technologies and intended for the production of ultrahigh-frequency InAlN/GaN HEMT transistors are analyzed.

Авторлар туралы

V. Brudnyi

National Research Tomsk State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: brudnyi@mail.tsu.ru
Ресей, Tomsk

M. Vilisova

National Research Tomsk State University

Email: brudnyi@mail.tsu.ru
Ресей, Tomsk

L. Velikovskii

National Research Tomsk State University

Email: brudnyi@mail.tsu.ru
Ресей, Tomsk

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature, 2018