Parameters of pulse generators based on 4H : SiC sharp-recovery drift diodes: The influence of electron drift velocity saturation


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The generation of high-voltage electrical pulses by generators based on 4H : SiC sharp-recovery drift diode is demonstrated. It is shown that the electron drift velocity saturation influences the shape of output pulses.

Авторлар туралы

P. Ivanov

Ioffe Physical Technical Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Ресей, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021

I. Grekhov

Ioffe Physical Technical Institute

Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Ресей, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016