Atomic Layer Deposition of Thin Films onto 3D Nanostructures: The Effect of Wall Tilt Angle and Aspect Ratio of Trenches


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

A theoretical model predicting the spatial profile of a film grown on walls by atomic layer deposition (ALD) is developed. The possible initial nonverticality of trench walls and the dynamic variation of the aspect ratio of the structure in the process of film growth in nanosized trenches are considered in this model. The dependence of the resulting film thickness and conformity on ALD process parameters is studied theoretically.

Авторлар туралы

A. Fadeev

Insitute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: AlexVFadeev@gmail.com
Ресей, Moscow, 117218

K. Rudenko

Insitute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences

Email: AlexVFadeev@gmail.com
Ресей, Moscow, 117218

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2018