On Estimating the G-peak shift in graphene Raman spectra


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The frequency shift of the Raman G peak of epitaxial graphene due to the interaction with a substrate described by effective bond force constant k is investigated using the model of two coupled oscillators. The relative G-peak shift is shown to be Δω(G)/ω(G) ∝ k/k0g, where k0g is the bond-stretching force constant of single-layer graphene. Assuming k ∝ P and k ∝–T, where P and T are the pressure and temperature, and the k variation to be dominant, we qualitatively explain the experimental dependences of Δω(G) on P and T. The effect of the substrate on the G-peak broadening in epitaxial graphene is discussed.

Авторлар туралы

S. Davydov

Ioffe Institute; St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics, and Optics

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 197101

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017