Photoinduced heterostructure in a vanadium dioxide film


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

A photoinduced semiconductor–metal phase transition that occurs in a surface layer of vanadium dioxide film on an aluminum substrate within the time Δt < 1 ps has been studied theoretically. A nonthermal mechanism of the development of instability has been considered. It has been shown that a heterophase structure containing metallic and semiconductor layers is formed in the VO2 film. The phase transition time τ has been calculated as a function of the distance z from the film surface. Comparison with the experiment has been carried out.

Авторлар туралы

A. Semenov

Ulyanovsk State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: smnv@mail.ru
Ресей, Ulyanovsk, 432017

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017