De Haas–van Alphen Oscillations of the Silicon Nanostructure in Weak Magnetic Fields at Room Temperature. Density of States


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The field dependence of magnetization of a silicon nanosandwich measured at room temperature in weak magnetic fields manifests de Haas–van Alphen oscillations, the behavior of which is explained under the condition of the dependence of the effective carrier mass on the external magnetic field.

Об авторах

V. Romanov

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Email: Bagraev@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 195251

V. Kozhevnikov

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Email: Bagraev@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 195251

C. Tracey

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Email: Bagraev@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 195251

N. Bagraev

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University; Ioffe Institute

Автор, ответственный за переписку.
Email: Bagraev@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 195251; St. Petersburg, 194021

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).