Crystal defects in solar cells produced by the method of thermomigration


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The results of studying the crystal structure of regions in silicon, recrystallized during the course of thermomigration of the liquid Si–Al zone in the volume of the silicon substrate, are reported (similar regions doped with an acceptor impurity are used to obtain high-voltage solar cells). X-ray methods (including measurements of both diffraction-reflection curves and topograms) and also high-resolution electron microscopy indicate that single-crystal regions in the form of a series of thin strips or rectangular grids are formed as a result of the thermomigration of liquid zones. Dislocation half-loops are detected in the surface layers of the front and back surfaces of the substrate. {311}-type defects are observed in the recrystallized regions.

Об авторах

V. Lozovskii

Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI)

Email: seredinboris@gmail.com
Россия, Novocherkassk, 346428

A. Lomov

Institute of Physics and Technology

Email: seredinboris@gmail.com
Россия, Moscow, 117218

L. Lunin

Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI)

Email: seredinboris@gmail.com
Россия, Novocherkassk, 346428

B. Seredin

Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI)

Автор, ответственный за переписку.
Email: seredinboris@gmail.com
Россия, Novocherkassk, 346428

Yu. Chesnokov

National Research Center “Kurchatov Institute”

Email: seredinboris@gmail.com
Россия, Moscow, 123182

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).