Отправить статью по E-mail Two Stages of Surface-Defect Formation in a MOS Structure under Low-Dose Rate Gamma Irradiation
- Авторы: Popov V.D.1
-
Учреждения:
- National Nuclear Research University MEPhI
- Выпуск: Том 50, № 3 (2016)
- Страницы: 349-351
- Раздел: Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
- URL: https://ogarev-online.ru/1063-7826/article/view/196891
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030209
- ID: 196891
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
The results of an experimental study of how surface defects are formed at the Si–SiO2 interface at γ-radiation dose rates of P = 0.1 and 1.0 rad/s are reported. It is found that the surface defects are formed in two stages. The defect-formation mechanisms are analyzed.
Ключевые слова
Об авторах
V. Popov
National Nuclear Research University MEPhI
Автор, ответственный за переписку.
Email: wdpopov@mail.ru
Россия, Moscow, 115409
Дополнительные файлы
