High-Resistivity Gallium Antimonide Produced by Metal–Organic Vapor-Phase Epitaxy


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The results of studies of nominally undoped epitaxial p-GaSb layers grown by metal–organic vapor-phase epitaxy at a ratio TMSb/TEGa in the range from 1 to 50 are reported. At the ratio TMSb/TEGa = 50, GaSb epitaxial layers, whose resistivity is 400 Ω cm, are produced. It is shown that, for such layers, the crystal quality assessed by several methods remains comparable to the quality of n-GaSb substrates used for the growth of nominally undoped GaSb layers.

Авторлар туралы

R. Levin

Ioffe Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

A. Vlasov

Ioffe Institute

Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

A. Smirnov

Ioffe Institute

Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

B. Pushnyi

Ioffe Institute

Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019